[发明专利]像素的驱动电路及驱动像素的方法无效

专利信息
申请号: 201010564075.4 申请日: 2010-11-18
公开(公告)号: CN102005182A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 聂建名;蔡宗廷 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路及驱动方法,尤指关于一种不受薄膜晶体管工艺上的差异以及有机发光二极管的跨压所影响的主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路及驱动方法。

背景技术

由于主动矩阵有机发光二极管(active matrix OLED,AMOLED)显示器的像素的驱动电路的共同低电位端的金属线具有阻抗,因此驱动不同有机发光二极管的N型薄膜晶体管的源极端(共同低电位端)的电压可能有所不同。如此,使得流经有机发光二极管的驱动电流有所不同。因为有机发光二极管的亮度由驱动电流控制,因此,上述驱动电流不同的状况会导致面板亮度不均匀。

另外,由于薄膜晶体管工艺的影响,驱动每一有机发光二极管的薄膜晶体管的阀值(VTH)不一定相同,因此,即使给予相同的数据电压,其所产生的驱动电流仍然会有差异,导致面板亮度不均匀;加上有机发光二极管在操作一段时间后,其上的跨压会因为材料劣化而上升,因此在原有的数据电压操作下,像素的亮度会较低,产生残影(image sticking)的现象。

发明内容

本发明的一实施例提供一种主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路。该驱动电路包含一第一开关、一第二开关、一第三开关、一N型薄膜晶体管、一第一电容及一有机发光二极管。该第一开关具有一第一端、一第二端及一第三端,该第一端用以接收一参考电压或一数据电压,该第二端用以接收一第一开关信号;该第二开关具有一第一端、一第二端及一第三端,该第一端用以接收一重设电压,该第二端用以接收一第二开关信号;该第三开关具有一第一端、一第二端及一第三端,该第一端用以接收一第一电压,该第二端用以接收一第三开关信号;该N型薄膜晶体管具有一第一端、一第二端及一第三端,该第一端耦接于该第三开关的该第三端,该第二端耦接于该第一开关的该第三端,及该第三端耦接于该第二开关的该第三端;该第一电容具有一第一端及一第二端,该第一端耦接于该第一开关的该第三端,及该第二端耦接于该第二开关的该第三端;及该有机发光二极管具有一第一端及一第二端,该第一端耦接于该N型薄膜晶体管的该第三端,及该第二端耦接于一第二电压。

本发明的另一实施例提供一种驱动主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的方法。该方法包含使用一参考电压对一第一电容的第一端充电和一重设电压对该第一电容的第二端充电,以及同时开启一第三开关,其中该参考电压较该重设电压高;浮接该第一电容的第二端;根据一数据电压对该第一电容的第一端充电,并关闭该第三开关;及浮接该第一电容的第一端,并开启该第三开关。

本发明所提供的一种主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路及驱动主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的方法,通过利用四薄膜晶体管、二电容(4T2C)的一驱动电路,产生和一薄膜晶体管工艺上的差异以及一有机发光二极管的跨压无关的一驱动电流。因此,本发明可降低不同像素间驱动电流的差异,改善该有机发光二极管亮度衰减和面板亮度不均的情形。

附图说明

图1为说明主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路的示意图;

图2为说明主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路的示意图;

图3为说明第一开关信号、第二开关信号以及第三开关信号的操作时序的示意图;

图4为说明驱动主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的方法的流程图;

图5A为说明图3中的第一时段的示意图;

图5B为说明驱动电路在第一时段的操作状态的示意图;

图6A为说明图3中的第二时段的示意图;

图6B为说明驱动电路在第二时段的操作状态的示意图;

图7A为说明图3中的第三时段的示意图;

图7B为说明驱动电路在第三时段的操作状态的示意图;

图8A为说明图3中的第四时段的示意图;

图8B为说明驱动电路在第四时段的操作状态的示意图;

图9为说明主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路的示意图;

图10为说明主动矩阵有机发光二极管显示器的像素的驱动电路的示意图。

其中,附图标记

100、200、900、1000 驱动电路    106 电容

202 第一开关                    204 第二开关

206 第三开关                    102、104、208 N型薄膜晶体管

210 第一电容                    212 第二电容

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