[发明专利]一种电子发射体的制备方法

权利要求书

1.一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：

提供一线状支撑体；

提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；

移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及

将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。

2.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜或碳纳米管线为自支撑结构。

3.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜或碳纳米管线直接从一碳纳米管阵列中拉取出来获得。

4.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜或碳纳米管线包括多个碳纳米管首尾相连且沿同一方向择优取向延伸。

5.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管通过范德华力相互连接成一体结构。

6.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述将碳纳米管膜或碳纳米管线缠绕于所述支撑体上形成一碳纳米管层的方法具体包括以下步骤：首先，将所述碳纳米管膜或碳纳米管线的一端固定于所述线状支撑体表面；其次，使该线状支撑体绕其中心轴旋转的同时沿其中心轴延伸方向做直线运动。

7.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述移除线状支撑体的方法包括化学方法移除、机械方法移除或物理方法移除。

8.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述移除所述线状支撑体的步骤前进一步包括使用有机溶剂处理所述碳纳米管层的步骤。

9.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述管状碳纳米管预制体在沿其中空线状轴心的长度方向的一处位置发生熔断，形成两个电子发射体。

10.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述熔断管状碳纳米管预制体的方法具体包括以下步骤：将该管状碳纳米管预制体悬空设置于一真空室内或充满惰性气体的反应室；在该管状碳纳米管预制体两端施加一电压，通入电流加热熔断。

11.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述熔断管状碳纳米管预制体的方法具体包括以下步骤：加热该管状碳纳米管预制体；提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该管状碳纳米管预制体，使该管状碳纳米管预制体在被轰击处熔断。

12.如权利要求11所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述加热管状碳纳米管预制体的方法具体为将该管状碳纳米管预制体放置于一真空系统，在该管状碳纳米管预制体中通入电流，加热该管状碳纳米管预制体。

13.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述熔断管状碳纳米管预制体的方法具体包括以下步骤：以一定功率和扫描速度的激光照射该管状碳纳米管预制体；在该管状碳纳米管预制体通入电流，碳纳米管预制体在被激光照射处熔断。

14.如权利要求1所述的电子发射体的制备方法，其特征在于，所述管状碳纳米管预制体在熔断出延伸出多个碳纳米管束。

15.一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：

提供一导电线状结构；

提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述导电线状结构表面，形成一碳纳米管复合线状结构；以及

熔断所述碳纳米管复合线状结构获得电子发射体。