[发明专利]一种访问数据的方法、装置和智能卡有效
申请号: | 201010565052.5 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN102169459A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 贾庆刚 | 申请(专利权)人: | 北京握奇数据系统有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06K19/07 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 北京市朝阳区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 访问 数据 方法 装置 智能卡 | ||
1.一种访问数据的方法,其特征在于,包括:
接收数据访问指令,并根据所述数据访问指令确定出指令类型和待访问的目标地址;
在确定所述目标地址为虚拟地址且所述虚拟地址在设置的虚拟地址范围内时,确定出所述目标地址在非易失性存储器的页索引中的偏移量;
在所述偏移量对应的存储空间中进行相应的数据访问操作,所述数据访问操作与确定出的所述指令类型相对应。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述数据访问指令确定出指令类型和待访问的目标地址,包括:
获取所述数据访问指令的指令地址,并从指令地址、指令编码值、目标地址的映射关系中,确定出与所述指令地址对应的指令编码值和目标地址,并根据所述指令地址对应的指令编码值确定出所述指令类型。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述偏移量对应的存储空间中进行相应的数据访问操作之前,所述方法还包括:
当随机存储器RAM当前的缓冲页的索引与非易失性存储器中目标地址所对应的页索引不一致时,将所述非易失性存储器中所述目标地址所在的索引页中的数据读入到RAM当前的缓冲页中。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述在所述偏移量对应的存储空间中进行相应的数据访问操作,包括:
在确定指令类型为数据保存指令时,将待保存数据写入到所述RAM的缓冲页中第一偏移量对应的内存空间中,所述第一偏移量与所述目标地址对应;
将所述RAM中存储的所述待保存数据写入到非易失性存储器中第二偏移量对应的存储空间中,所述第二偏移量为所述目标地址在非易失性存储器的页索引中的偏移量。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:根据所述指令地址对应的指令编码值确定出目标寄存器;
在所述偏移量对应的存储空间中进行相应的数据访问操作,包括:
在确定指令类型为数据读取指令时,将所述RAM当前缓冲页中的所述目标地址对应的偏移量处内存空间中的数据,保存到确定出的所述目标寄存器中。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
接收应用程序发送的内存分配请求,该内存分配请求中携带有需要分配的内存量;
根据所述内存量为所述应用程序分配相应大小的物理内存空间或虚拟内存空间,且将分配的物理内存空间对应的物理地址或分配的虚拟内存空间对应的虚拟地址分配给所述应用程序。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,为所述应用程序分配相应大小的物理内存空间或虚拟内存空间,包括:
当RAM中可使用的内存空间大于或等于所述内存量时,从RAM的可使用内存空间中为所述应用程序分配相应大小的物理内存空间;当所述RAM中可使用的内存空间小于所述内存量时,从所述RAM的虚拟内存空间中为所述应用程序分配相应大小的虚拟内存空间。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述数据访问指令为数据中断DataAbort。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非易失性存储器为电可擦可编程只读存储器EEPROM、NorFlash或NandFlash。
10.一种访问数据的装置,其特征在于,包括:
接收单元,用于接收数据访问指令,并根据所述数据访问指令确定出指令类型和待访问的目标地址;
确定单元,用于在所述目标地址为虚拟地址且所述虚拟地址在设置的虚拟地址范围内时,确定出所述目标地址在非易失性存储器的页索引中的偏移量;
数据访问单元,用于在所述确定单元确定出的所述偏移量对应的存储空间中进行相应的数据访问操作,所述数据访问操作与确定出的所述指令类型相对应。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述接收单元具体用于:
接收数据访问指令,并获取所述数据访问指令的指令地址,并从指令地址、指令编码值、目标地址的映射关系中,确定出与所述指令地址对应的指令编码值和目标地址,并根据所述指令地址对应的指令编码值确定出所述指令类型。
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