[发明专利]一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法

权利要求书

1.一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序：确认系统中安装有In、Mn、Ga、As源；在超净间将GaAs(001)单晶衬底切割并用In粘附于样品台上；在进出腔中对于衬底及样品台进行去水气烘烤，在缓冲腔中对于衬底及样品台进行去有机杂质的烘烤；用液氮冷却生长腔，以提高背景真空度；

(2)在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In_1-xMn_xAs纳米点，0.23≤x≤0.56；

(3)沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。

2.根据权利要求1所述的高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于：步骤(2)中外延生长的GaAs(001)高温缓冲层的生长温度为GaAs(001)单晶去氧化温度以上20℃；厚度为200nm以上。

3.根据权利要求1所述的高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于：步骤(2)中生长温度为350-400℃。

4.根据权利要求1所述的高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于：步骤(2)中InAs浸润层的厚度为1-1.5个分子层。

5.根据权利要求1所述的高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于：步骤(2)中间歇式沉积的方法为每沉积10-20秒间歇1-3分钟，累计的沉积时间不超过160秒。