[发明专利]一种MnAs纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种MnAs纳米线，其特征在于90％以上的纳米线沿[110]GaAs晶向排列，晶向对应关系满足且其外延生长于GaAs(001)单晶衬底上，横躺与GaAs(001)单晶表面，具有六角密堆晶体结构。

2.根据权利要求1所述的MnAs纳米线，其特征在于具有沿着排列方向即[110]GaAs晶向的磁各向异性。

3.一种MnAs纳米线的制备方法，其特征在于步骤如下：

(1)完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序：确认系统中安装有Mn、Ga、As源；在超净间将GaAs(001)单晶衬底切割并用In粘附于样品台上；在进出腔中对于衬底及样品台进行去水气烘烤，在缓冲腔中对于衬底及样品台进行去有机杂质的烘烤；用液氮冷却生长腔，以提高背景真空度；

(2)在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后在设定生长温度生长MnAs纳米线；

(3)生长结束后将衬底降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。

4.根据权利要求3所述的MnAs纳米线的制备方法，其特征在于：步骤(2)中外延生长的GaAs(001)高温缓冲层的生长温度为GaAs(001)单晶去氧化温度以上20℃；厚度为200nm以上。

5.根据权利要求3所述的MnAs纳米线的制备方法，其特征在于：步骤(2)中MnAs纳米线的生长温度为450-550℃；MnAs纳米线生长过程中生长腔中As₄/Mn流量比为20及以上；MnAs纳米线的平均沉积厚度为0.4-3nm。