[发明专利]一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法

权利要求书

1.一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱，其特征在于：它是一个底面和顶面为正方形的锥体，所述铟柱底面的正方形边长x为10～12微米，所述铟柱顶面的正方形边长y为5～7微米，所述铟柱的高度z为8～12微米。

2.一种如权利要求1所述的铟柱阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将需要制备铟柱的芯片清洗干净，放入烘箱中烘烤30～40分钟，烘烤温度为60～70摄氏度；

2)将匀胶机条件设置为转速为1500～2500转/分，时间为20～40秒，在芯片表面旋涂一层AZ4620光刻胶，然后放入温度为60～70摄氏度的烘箱中烘烤30～40分钟；

3)采用光刻孔为10～14微米的光刻版对芯片进行曝光，曝光时间为20～30秒，曝光后的芯片不显影；

4)将匀胶机条件设置为转速为2000～4000转/分，时间为20～40秒，在曝光后的芯片表面再旋涂一层AZ1500光刻胶，然后放入60～70摄氏度的烘箱中烘烤30～40分钟；

5)采用光刻孔为5～7微米的光刻版对芯片进行对准曝光，5～7微米的小孔必须位于10～14微米的大孔中央，曝光时间为5～10秒；

6)两次曝光后的芯片放入AZ400K显影液中显影60～80秒，经过纯水定影30～40秒后，放入60～70摄氏度的烘箱中烘烤30～40分钟，获得顶部小底部大的铟柱光刻孔；

7)将制备好铟柱光刻孔的芯片用高真空热蒸发的方法沉积铟层，沉积速率为150～200nm/分钟，沉积时间为50～70分钟，保证芯片处于蒸发源的正上方；

8)将制备好铟层的芯片放入丙酮中浸泡60～90分钟，再用无水乙醇清洗，剥离芯片上多余的铟层，获得底部尺寸为10～12微米，顶部尺寸为5～6微米，高度为8～10微米的铟柱阵列。