[发明专利]一种太阳能电池片有效
申请号: | 201010565237.6 | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102479853A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 范建都;胡宇宁;王胜亚 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
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地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池片,尤其是一种多晶硅太阳能电池片。
背景技术
伴随着传统能源的日渐枯竭、环境污染问题的日益加剧,新能源的开发和应用已经成为人类研究的热点。取之不尽用之不竭、绿色无污染的太阳能是新能源开发利用的重点之一。
目前,普遍采用的获取太阳能能源的工具是太阳能电池,尤其是多晶硅太阳能电池。作为多晶硅太阳能电池的核心部件,太阳能电池片的结构和性能直接影响着太阳能电池的性能。
太阳能电池片一般是硅片经过去油工艺、去除损伤层、制绒、扩散工艺、周边刻蚀、去除氧化层、制氮化硅膜、丝网印刷背、正电极、烧结、测试分选等制得。
正电极印刷的目的是通过印刷各种形状的导电体将硅电池在光照下产生的电流给导出。由于正面导电体处于太阳能电池的正面,也是受光面,因此要求遮光面积尽量小,以提高太阳能电池的短路电流,另外对于导电的目的又要求导电体产生的电阻尽量小,以降低太阳能电池的串联电阻。
如图1所示的现有技术中的太阳能电池的太阳能电极片表面正电极的结构,包括次级栅线20和主栅线30。多条次级栅线20平行设置,两条主栅线30垂直于上述次级栅线20,并且两条主栅线30相间对称分布。太阳能电池通过光电转换形成的电流通过次级栅线20被收集,然后汇入主栅线30,在主栅线30上通过几个焊接接触点或电性能测试点将电流给引出。
上述太阳能电池片表面的正电极结构的遮光面积比较大,电池片的功率电阻比较高,内耗大,严重影响了太阳能电池的性能。
发明内容
为了克服现有技术中的太阳能电池片的正电极结构的遮光面积比较大、功率电阻比较高、内耗大的问题,本发明公开了一种太阳能电池片,该太阳能电池片的正电极结构的遮光面积小、功率电阻低、内耗小,大大提高了太阳能电池的转换效率。
本发明公开的太阳能电池片包括硅片,所述硅片背面附着有背电场,背电场表面附着有背电极;其特征在于,所述硅片正面具有两个主汇流条和多个副汇流条,所述主汇流条由多个菱形主汇流部通过顶点顺次连接而成,所述副汇流条由两个菱形副汇流部通过顶点连接而成;所述主汇流部相互连接的顶点在同一主轴线上,所述副汇流部的中心位于所述主轴线上;所述副汇流条中,两个副汇流部的长轴在同一副轴线上;所述主轴线与副轴线垂直,所述副汇流条相互平行。
本发明的发明人通过对现有的太阳能电池片正面结构进行调整,意外的发现采用本发明公开的结构可以在降低电阻消耗的同时,减少遮光面积,增大太阳能电池的转换效率;同时可以减少导电浆料的使用量降低成本。
附图说明
图1是现有技术提供的太阳能电池片的正电极结构。
图2是本发明公开的太阳能电池片的正电极结构。
图3是本发明公开的太阳能电池片的正电极结构中主汇流部的放大图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明公开的太阳能电池片包括硅片,所述硅片背面附着有背电场,背电场表面附着有背电极;其特征在于,所述硅片正面具有两个主汇流条和多个副汇流条,所述主汇流条由多个菱形主汇流部通过顶点顺次连接而成,所述副汇流条由两个菱形副汇流部通过顶点连接而成;所述主汇流部相互连接的顶点在同一主轴线上,所述副汇流部的中心位于所述主轴线上;所述副汇流条中,两个副汇流部的长轴在同一副轴线上;所述主轴线与副轴线垂直,所述副汇流条相互平行。
上述主汇流条由多个菱形主汇流部通过顶点顺次连接。其中,主汇流部为菱形,主汇流部通过顶点顺次连接即相互连接的两个菱形主汇流部具有共同的顶点。上述菱形的主汇流部具有长轴和短轴,长轴即为菱形的主汇流部中较长的那条对角线,短轴即为较短的对角线。当菱形的主汇流部的对角线长度相等时,可认定其中任意一条为长轴,另一条即为短轴。如图2和3所示,其中,主汇流部4通过顶点顺次连接。上述主汇流部4具有长轴41和短轴42,该长轴41和短轴42实际并不存在,而是作为界定的标准虚构的。同样,菱形的副汇流部也存在其长轴和短轴,在附图中并未示出。
优选情况下,所述主汇流部长轴长度为5-50mm,短轴长度为1-3mm;更优选为主汇流部长轴长度为20-30mm,短轴长度为1.5-2.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的