[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构有效
| 申请号： | 201010565520.9 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479817A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 结构 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，从下往上依次包括：漏极、第一导电型半导体衬底、第一导电型半导体外延层；所述第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；
第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体第一源区，第二导电型半导体第二阱区内部设有第一导电型半导体第二源区；
所述第一导电型半导体第一源区、第二导电型半导体第一阱区上部分覆盖有第一源极区域，第一导电型半导体第二源区、第二导电型半导体第二阱区部分覆盖有第二源极区域；
第一源极区域与所述第二源极区域之间设有栅氧化层；
栅氧化层上部设有栅极；所述栅氧化层与外延层之间间断设有场氧化层。
2.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述第一导电型半导体为N型半导体，第二导电型半导体为P型半导体。
3.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述第一导电型半导体为P型半导体，第二导电型半导体为N型半导体。
4.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于， 所述栅极与场氧化层对应的区域设有与栅氧化层连通的凹槽。
5.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述栅极为多晶硅。
6.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述源极和漏极为金属电极。
7.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述场氧化层和栅氧化层均为绝缘层。
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