[发明专利]一种通孔式高散热LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

所述结构包括至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底和生长在一衬底表面的发光外延层，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；在所述衬底的第二表面形成一反射层，在该衬底第二表面形成的反射层上晶圆键合一散热性良好的底板；以及在所述第一表面上形成发光外延层，其中从所述发光外延层发射的光包括远离所述衬底方向传播的光以及向着所述衬底方向传播的光，向着所述衬底方向传播的光至少部分地透过所述衬底后被所述反射层反射。该发光外延层的部份N型电极透过通孔和底板相连接；部份N型电极透过侧壁化和底板相连接。该本发明还提供由该方法制作的高散热LED芯片。

2.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

所述衬底，可以是透明与不透明，导电与不导电，如硅、碳化硅、氧化铝等。

3.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

所述衬底的第一表面和第二表面，可以是平面、图形，或纳米结构、光子晶体等。

所述衬底的第二表面，可以是抛光与不抛光。

4.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

所述底板，可以是导电导热与导电不导热，如钼、铝、镍、铜、铜钨、硅等。

5.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

在衬底第二表面与底板之间，或衬底第二表面与键合层，或衬底第二表面与粘接层之间设置至少有一反射层，反射层可以是金属层或合金层、单层或多层、全反射膜(DBR)、DBR加金属层或合金层。

6.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

衬底第二表面上形成的反射层与底板连接可以直接键合或通过键合层键合或通过粘接层粘接，材料可以是金属材料、合金材料、非金属材料、有机材料，可以是单层结构、多层结构。

7.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

部份N型电极透过通孔和底板相连接，部份N型电极透过侧壁化和底板相连接。可使芯片垂直上下各成正负极，减少封装打线数量，增加出光面积和效率；通孔和侧壁金属或合金含反射与不反射二种，反射型可充份收集侧光回到芯片中来与避免光被吸收。

8.如权利要求1所述的制作通孔式高散热LED芯片，其特征在于：

部份N型电极透过通孔和底板相连接，部份N型电极透过侧壁化和底板相连接。可使LED芯片所产生的热，更有效率地透过N型电极往下传导至高散热底板。