[发明专利]用来进行超区块管理的方法、记忆装置及其控制器

说明书

技术领域

本发明涉及关于具有多通道的闪存(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行超区块(Meta Block)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)或具备闪存的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的闪存的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single LevelCell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。例如：相关技术的管理机制无法保证在具有多通道的闪存中的各个信道的信道频宽；又例如：相关技术在进行随机写入之后的循序读取的效能甚差。因此，需要一种新颖的方法来进行超区块管理，以增进闪存的存取效能。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述在具有多通道的细胞闪存中的各个信道的信道频宽易导致随机写入之后的循序读取的效能甚差的缺陷，提供一种用来进行超区块(Meta Block)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行超区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以增进闪存(Flash Memory)的存取效能。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：构造一种用来进行超区块管理的方法，该方法应用于具有多通道(Channel)的闪存的控制器，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块，该方法包含有：利用一超区块(Meta Block)映像表储存分别对应于多个超区块的区块分组关系，其中每一超区块中的区块分别对应于该些通道；以及当侦测到一超区块当中对应于一特定通道的一特定区块无剩余可写入空间时，依据该超区块映射表，利用至少一其它超区块当中对应于该特定通道的至少一空白区块作为该特定区块的延伸，以供进一步写入之用。尤其是，基于预定的逻辑地址与信道的映像关系，在该控制器运作于页模式(Page Mode)的状况下，采用该方法的该控制器可动态地(Dynamically)进行超区块管理，以增进该闪存的存取效能。

上述本发明所述的方法，其中利用该至少一其它超区块当中对应于该特定通道的该至少一空白区块作为该特定区块的延伸以供进一步写入之用的步骤另包含：

在对应于该特定通道的该至少一空白区块被利用作为该特定区块的延伸的状况下，依据该超区块映射表，利用该至少一其它超区块当中对应于至少一其它通道的至少一空白区块，作为该特定区块所属的该超区块当中对应于该至少一其它通道的至少一其它区块的延伸，以供进一步写入之用。

上述本发明所述的方法，其中该至少一其它超区块包含一第一超区块与一第二超区块，且该至少一空白区块包含一第一空白区块与一第二空白区块；以及利用该至少一其它超区块当中对应于该特定通道的该至少一空白区块作为该特定区块的延伸以供进一步写入之用的步骤另包含：

利用该第一空白区块与该第二空白区块作为该特定区块的延伸。

上述本发明所述的方法，其中利用该至少一其它超区块当中对应于该特定通道的该至少一空白区块作为该特定区块的延伸以供进一步写入之用的步骤另包含：