[发明专利]一种紫外灯电离装置无效
申请号: | 201010567161.0 | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102479660A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 李海洋;吴庆浩;花磊;崔华鹏;陈平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01J49/16 | 分类号: | H01J49/16 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 电离 装置 | ||
技术领域
本发明涉及质谱电离源,通过使用低电子逸出功材料,降低电子逸出功,同时使用大功率的紫外光源以及光学聚焦透镜,并利用磁场增强电子碰撞效率,从而提高光电子产生效率;这种技术具有低功耗,耐氧化性气体等优势,是电子碰撞电离源的一种替代电离源。
背景技术
电子碰撞电离(EI)源,因简单实用,同时有丰富的谱图库,使其成为质谱中应用最广泛的电离源。其基本结构是以加压的热丝为电子源,加速后的电子在电离腔中将中性分子电离。但是,以热灯丝为电子源的设计存在缺陷。由于高温下热丝容易被氧化,因此,这种电离源的工作气压往往需要设置在低于10-3Pa条件下,较低的工作气压限制了样品分子的密度,从而限制了电离源的灵敏度。另外,测量时需要避免氧化性气体,因此这种结构很难用于氧化性气体的长期监控。
光电子电离(PEI)源是一种非热电子发射源,利用光电效应产生光电子,在电场的加速下电离中性分子,产生电子碰撞电离(EI)。PEI电离源避免了氧化性气体的腐蚀作用,同时还可以提高工作气压。根据平均自由程计算,在0.1Pa以下均可以获得无分子离子反应的EI电离谱图。因此,PEI电离源可以将EI源的工作气压由0.001Pa提高到0.1Pa,从而极大地提高了灵敏度。
目前使用的光电子电离源中使用的光源多为200nm以下的真空紫外光,但这种真空紫外光需要特殊的透镜材料,目前还没有能透过光子能量高于12eV的材料,因此无法将电离能高于12eV的物质电离。另外,高强度的真空紫外光光源难以制造或者制造成本较高,难以应用推广。本发明中使用波长为200-400nm的紫外光,目前可以以较低成本获得高强度光源,可以产生很强的光电子,从而获得一种高灵敏度电离源。
发明内容
本发明的目的在于提供一种紫外灯电离装置,可作为质谱的电离源。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种真空紫外灯电离装置,其特征在于:包括一电离腔,在电离腔上方安装有作为光源的紫外灯,在距紫外灯下方1-4mm处设置有一石英透镜,
在石英透镜正下方1-4mm处设置有一推斥电极,推斥电极为中间开孔的金属圆板,孔径为4mm-15mm,并与石英透镜同轴;
在距离推斥电极正下方10-30mm处设置有一聚焦环,聚焦环为中间开孔的磁性材料,孔径为4mm-15mm,并与推斥电极同轴;
在聚焦环的正下方1-4mm处设有一小孔板,小孔板为中间开孔的圆板,孔径为0.4mm-2mm,并与推斥电极同轴;
在小孔板正下方1-4mm处设有同轴的三个透镜,与推斥电极同轴;
在聚焦环、小孔板及透镜之间分别设有1-3mm厚的绝缘密封垫阻隔;
一进样毛细管将气体样品从电离室的一侧引入真空紫外灯前端的窗口下方进行电离,真空紫外灯的光轴同气体样品的进样方向相垂直;
推斥电极、聚焦环、小孔板及透镜与真空紫外灯的光轴同轴;在透镜的正下方设置有一质量分析器。由紫外灯发出的紫外光经聚焦后照在小孔板上产生光电子,光电子在小孔板与推斥电极之间的电场中被加速,与电离腔中的样品分子发生电子碰撞电离。产生的样品离子被聚焦环聚焦后引入小孔板,通过透镜系统调整后进入质量分析器。
本发明可作为质谱的电离源,具有检测线低,耐氧化,样品选择范围宽,寿命长,工作气压范围宽等优点。
由聚焦环和小孔板的结构设计及使用光电子作为电子源,本发明具有如下优点:
1.本发明中使用波长为200-400nm的紫外光,目前可以以较低成本获得高强度光源,因此可以产生高密度的光电子,从而获得一种高灵敏度电离源。
2.通过使用石英透镜,可以将紫外光聚焦,获得更强的光强,从而产生更强的光电流,提高电离源中离子密度。
3.可以获得与传统EI电离源一致的电离谱图,可以使用EI谱图库对谱图进行识别。
4.电离源耐氧化性气体,可以长期监控氧化性样品。
5.工作气压不受限制。本电离源中的工作气压可以在高压,大气压及真空下工作。为保证EI谱图中不存在化学碰撞电离,工作气压常设置在0.1Pa以下。当气压在化学电离源的气压范围内,本电离源可以作为一种化学电离源使用。
综上所述,本发明具有待测样品范围广,耐氧化,功耗低,寿命长,工作气压范围宽等特点,在过程监控以及有机污染物实时在线分析方面有广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
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