[发明专利]确定光刻投影装置最佳物面的方法及用于该方法的掩模

权利要求书

1.一种确定光刻投影装置最佳物面的方法，包括下述步骤：

步骤一，驱动图案形成装置至一物面高度位置，该图案形成装置上具有第一组标记图案及第二组标记图案；

步骤二，驱动衬底至对应的像面位置处；

步骤三，将该第一组标记图案曝光至像面位置处的衬底表面上以形成第一曝光图案；

步骤四，水平移动该衬底；

步骤五，将该第二组标记图案曝光至该衬底表面上以形成第二曝光图案，以使该第二曝光图案与该第一曝光图案一起构成套刻图案；

步骤六，改变该图案形成装置的垂向高度，在不同物面高度处重复上列步骤，形成多个套刻图案；

步骤七，读取不同物面高度处形成的套刻图案的套刻结果；

步骤八，根据不同物面高度处形成的套刻图案的套刻结果拟合出不同物面高度处的畸变值；

步骤九，根据不同物面位置对应的畸变值，选取最小畸变值所对应的物面高度为最佳物面位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤八中采用下述公式进行拟合

Δx=Txf+xfMfx-yfφfx-xf2Wxx-xfyfWxy-xf2(xf2+yf2)W4x-xfyf(xf2+yf2)W4y+xf(xf2+yf2)D3x+xf(xf2+yf2)2D5x+Rfx]]>

Δy=Tyf+yfMfy+xfφfy-xfyfWyx-yf2Wyy-xfyf(xf2+yf2)W4x-yf2(xf2+yf2)W4y+yf(xf2+yf2)D3y+xf(xf2+yf2)2D5y+Rfy]]>

其中，x_f、y_f分别为曝光中第一组标记图案曝光在衬底上的标记场内位置坐标；Tx_f、Ty_f分别为该场的平移值；M_f为倍率；Φ_fx、Φ_fy为像面旋转角度；W_xx、W_xy、W_yx、W_yy、W_4x、W_4y分别为该场的楔形畸变；D_3x、D_3y为三阶畸变；D_5x、D_5y为五阶畸变；R_fx、R_fy分别为拟合残差。