[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下部电极；

设置在所述下部电极之上的可变电阻层，所述可变电阻层包括夹在多个氧化物电阻层之间的反应性金属层；和

设置在所述可变电阻层之上的上部电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层包括具有比所述多个氧化物电阻层强的与氧的反应性的金属。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层包括通过从所述氧化物电阻层之一中收集氧而被氧化成的金属氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个氧化物电阻层包括相同的材料或不同的材料。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个氧化物电阻层之一包括过渡金属氧化物。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层包括层叠了多个金属层的叠层。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个金属层包括相同的金属或不同的金属。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括夹在所述可变电阻层与所述上部电极之间或夹在所述可变电阻层与所述下部电极之间的另一个反应性金属层。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括夹在所述可变电阻层与所述上部电极之间的第一反应性金属层和夹在所述可变电阻层与所述下部电极之间的第二反应性金属层。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述可变电阻层中包括多个氧空位，并且所述多个氧空位在所述可变电阻层中具有均匀的分布或线性的分布。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层具有比所述多个氧化物电阻层的厚度薄的厚度。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层和所述多个氧化物电阻层是通过原子层沉积工艺形成的。

13.一种半导体器件，包括：

下部电极；

上部电极；和

设置在所述下部电极与所述上部电极之间的可变电阻层，其中所述可变电阻层包括多个氧化物电阻层和形成在所述多个氧化物电阻层的每个之间的多个反应性金属层。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个反应性金属层之一包括具有比所述多个氧化物电阻层之一强的与氧的反应性的金属。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个反应性金属层之一包括通过从相邻的氧化物电阻层之一中收集氧而被氧化成的金属氧化物。

16.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个氧化物电阻层的每个包括相同的材料或不同的材料。

17.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个氧化物电阻层之一包括过渡金属氧化物。

18.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个反应性金属层中的每个包括相同的金属或不同的金属。

19.如权利要求13所述的半导体器件，还包括夹在所述可变电阻层与所述上部电极之间或夹在所述可变电阻层与所述下部电极之间的另一个反应性金属层。

20.如权利要求13所述的半导体器件，还包括夹在所述可变电阻层与所述上部电极之间的第一反应性金属层和夹在所述可变电阻层与所述下部电极之间的第二反应性金属层。

21.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个反应性金属层之一包括层叠了多个金属层的叠层。

22.如权利要求21所述的半导体器件，其中，所述多个金属层包括相同的金属或不同的金属。

23.如权利要求13所述的半导体器件，其中，在所述可变电阻层中包括多个氧空位，并且所述多个氧空位在所述可变电阻层中具有均匀的分布或线性的分布。

24.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述反应性金属层之一具有比所述多个氧化物电阻层中相邻的氧化物电阻层的厚度薄的厚度。

25.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述氧化物电阻层和所述多个反应性金属层之一是通过原子层沉积工艺形成的。