[发明专利]用于处理基板的装置

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，包括：

通过腔室盖和腔室主体的组合来提供反应空间的处理室；

在所述反应空间中的在其上放置基板的基座；

在所述反应空间上方的多个等离子源电极；

在所述腔室盖下方的多个第一下突出部分；和

与所述多个等离子源电极相对应的多个第一气体注入器，和与所述多个第一气体注入器交替地设置的多个第二气体注入器。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述多个等离子源电极和所述腔室盖之间的多个绝缘板。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述多个第一气体注入器是在所述腔室盖、所述多个绝缘板和所述多个等离子源电极中形成的，所述多个第二气体注入器是在所述腔室盖和所述多个第一下突出部分中形成的。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个第一气体注入器的每一个包括：

供应工艺气体和工艺气体组合物之一的子气体供应管；

连接到所述子气体供应管并在所述腔室盖和所述多个绝缘板的每一个中形成的进气管；

连接到所述进气管的内连接管；和

从所述内连接管分支出的多个注入管。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述进气管包括：

连接到所述子气体供应管的绝缘管；和

连接到所述绝缘管的连接管。

6.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个等离子源电极的每一个的形状为具有较长边和较短边的矩形，所述内连接管在所述进气管下方沿着两个方向延伸，以平行于所述较长边并垂直于所述进气管。

7.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个注入管包括：

连接到所述内连接管的多个垂直注入管；和

从所述多个垂直注入管的每一个分支出的多个倾斜注入管。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个倾斜注入管关于所述多个垂直注入管的每一个对称地设置。

9.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个第二气体注入器的每一个包括：

供应工艺气体和工艺气体组合物之一的子气体供应管；

连接到所述子气体供应管并在所述腔室盖和所述多个第一突出部分的每一个中形成的进气管；

连接到所述进气管的内连接管；和

从所述内连接管分支出的多个注入管。

10.根据权利要求2所述的装置，其中所述多个第一突出部分的每一个包括从所述腔室盖垂直延伸出的上突出部分和从所述上突出部分扩展的下突出部分，其中所述上突出部分具有与所述多个绝缘板的每一个相同的厚度。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个第一气体注入器供应第一工艺气体和第一工艺气体组合物之一，所述多个第二气体注入器供应第二工艺气体和第二工艺气体组合物之一。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个等离子源电极和所述多个第一突出部分的每一个在剖视图中具有半圆形和半椭圆形之一。

13.根据权利要求1所述的装置，还包括：

对所述腔室盖的多个开口部分进行密封的多个绝缘板；

在所述多个绝缘板下方的多个第二下突出部分；和

在所述多个绝缘板上方的多个天线，

其中，所述多个第一气体注入器是在所述多个第二下突出部分中形成的，所述多个第二气体注入器是在所述多个第一下突出部分中形成的。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述腔室盖包括与所述多个绝缘板交替地设置的多个上突出部分，和从所述多个上突出部分延伸出并支撑所述多个绝缘板的多个支撑部分。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述多个第一气体注入器是在所述多个绝缘板中形成的，所述多个第二气体注入器是在与所述多个上突出部分和所述多个第一下突出部分相对应的腔室盖中形成的。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述多个第一气体注入器的每一个包括：

供应工艺气体和工艺气体组合物之一的子气体供应管；

连接到所述子气体供应管并在所述多个绝缘板中形成的进气管；

连接到所述进气管的内连接管；和

从所述内连接管分支出的多个注入管。