[发明专利]一种镁离子荧光传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010567985.8 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102053079A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 靳兰;郭志洁;何丹丹;卫敏 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 张水俤 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 荧光 传感器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镁离子荧光传感器的制备方法，其特征在于，其具体制备步骤为：
a.制备水滑石前体，所述水滑石前体的化学式为Zn1-xAlx(OH)2(NO3)x·mH2O，其中0.2≤x≤0.33，m为结晶水数量，取值范围为0.5-9；
b.配制浓度为5-30g/L的1-萘胺-3，6，8-三磺酸溶液，用氢氧化钠调节溶液pH值为6-7后加入0.1-1g步骤a制备的水滑石前体，在N2保护下搅拌，25-30℃下反应24-60小时，产物用去CO2水洗涤、离心，得到1-萘胺-3，6，8-三磺酸插层水滑石；
c.取0.5-2g步骤b制备的1-萘胺-3，6，8-三磺酸插层水滑石溶于50-100ml乙醇溶液中超声5-15分钟，将混合溶液置于高速离心机，设置转速为3000-10000转/分，离心5-10分钟，取上层胶体溶液；
d.取步骤c得到的上层胶体溶液10-30ml置于电化学沉积液体池中，将面积为2-6cm2导电玻璃FTO片夹于两电极上，设置电压为30-80v，1-6分钟后将阴极的导电玻璃FTO片取出，烘干即为镁离子荧光传感器。
2.根据权利要求1所述的一种镁离子荧光传感器的制备方法，其特征在于，所述的水滑石前体采用共沉淀法、成核晶化/隔离法、非平衡晶化法或水热合成法制备。
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