[发明专利]光学平台的形成方法

权利要求书

1.一种光学平台的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面；

使用干法刻蚀对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，在所述半导体衬底的上表面形成凹槽，在所述凹槽底部的半导体衬底中形成通孔，所述通孔贯穿所述半导体衬底；

对所述半导体衬底进行氧化，在所述半导体衬底的上表面、下表面和侧壁，以及所述凹槽和通孔的表面形成氧化膜；

形成金属层，覆盖所述半导体衬底的上表面、下表面的氧化膜，以及所述凹槽和通孔表面的氧化膜。

2.根据权利要求1所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的上表面形成凹槽，在所述凹槽底部的半导体衬底中形成通孔包括：

对所述半导体衬底的上表面进行第一干法刻蚀，形成开口；

对所述半导体衬底的上表面及所述开口底部的半导体衬底进行第二干法刻蚀，形成凹槽，并使所述开口贯穿所述半导体衬底形成通孔，所述通孔位于所述凹槽底部的半导体衬底中。

3.根据权利要求2所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述对所述半导体衬底的上表面进行第一干法刻蚀，形成开口包括：

在所述半导体衬底的上表面形成硬掩膜层并对其进行图形化，定义出所述开口的图形；

以所述图形化后的硬掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一干法刻蚀，形成所述开口；

去除所述图形化后的硬掩膜层。

4.根据权利要求3所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅或它们的叠层结构。

5.根据权利要求3所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为8000至30000

6.根据权利要求2所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述对所述半导体衬底的上表面及所述开口底部的半导体衬底进行第二干法刻蚀，形成凹槽，并使所述开口贯穿所述半导体衬底形成通孔包括：

在所述半导体衬底的上表面形成光刻胶层并对其进行图形化，定义出凹槽的图形；

以所述图形化后的光刻胶层为掩膜对所述半导体衬底进行第二干法刻蚀，形成凹槽，并使所述开口贯穿所述半导体衬底形成通孔；

去除所述图形化后的光刻胶层。

7.根据权利要求2或6所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀中的反应气体包括SF₆和HCl，反应压强为5mTorr至200mTorr。

8.根据权利要求7所述的形成光学平台的方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁偏离底面的角度为100°～135°。

9.根据权利要求2或6所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀中的反应气体包括SF₆和C₄F₈，反应压强为5mTorr至200mTorr。

10.根据权利要求9所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁偏离底面的角度为90°～115°。

11.根据权利要求2或6所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀中的反应气体包括SF₆、NF₃、HBr和O₂，其中，SF₆的流量为5sccm至10sccm，NF₃的流量为70sccm至200sccm，HBr的流量为70sccm至150sccm，O₂的流量为5sccm至15sccm，反应压强为50mTorr至150mTorr，刻蚀功率为500W至1000W。

12.根据权利要求11所述的光学平台的形成方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁偏离底面的角度为120°～130°。