[发明专利]一种利用协助磷源气扩散的固态磷源制备PN结的方法有效
| 申请号： | 201010568294.X | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486997A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 匡成国;王洪;刘洪;章金生;李质磊;盛雯婷;宋如来;吕铁铮;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 协助 磷源气 扩散 固态 制备 pn 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种协助磷源气扩散的固态磷源，其特征在于：它是经过5次以上磷源气扩散且表面具有PSG层的硅片。
2.根据权利要求1所述的固态磷源，其特征在于：所述磷源气扩散次数为5-10次。
3.根据权利要求1或2所述的固态磷源，其特征在于：所述的磷源气为三氯氧磷。
4.根据权利要求1所述的固态磷源，其特征在于：所述的硅片方块电阻小于35Ω/□。
5.一种晶体硅太阳电池PN结的制备方法，其特征在于：将预先经过磷源气扩散的硅片即固态磷源固定于石英舟的首部和/或尾部，同时将待扩散的硅片固定于石英舟内，进舟后，在扩散炉内通入磷源气，加热，出舟，即得扩散完成的硅片，其中，将固态磷源重复利用，直到其破碎后废弃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述的固态磷源的数量为8片/次。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述的首部是石英舟的第5-10槽。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述的尾部是石英舟的第261-262槽。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述的固态磷源是经过5次以上磷源气扩散且表面具有PSG层的硅片，其方块电阻小于35Ω/□。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述磷源气扩散次数为5-10次，所述的磷源气为三氯氧磷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
