[发明专利]一种垂直沟道恒流二极管

权利要求书

1. 一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于：包括衬底（4），衬底（4）上设有一层外延层（3），外延层（3）上设有一组P+扩散区（6），在每个P+扩散区（6）之间设有与负电极（1）连接N+ 区（7），外延层（3）的边缘设有绝缘层（2）；衬底（4）与正电极（5）连接，外延层（3）和P+扩散区（6）与负电极（1）连接。

2.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述衬底（4）是用高掺杂的P型半导体材料制成。

3.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述外延层（3）是用低掺杂的N型半导体材料制成。

4.根据权利要求2或3所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述半导体材料为硅材料。

5.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述P+扩散区（6）是在外延层（3）上扩散出的一块浓硼区域。

6.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述N+ 区（7）是在外延层（3）上注入离子生成的离子注入区域。

7.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于：所述绝缘层（2）采用二氧化硅绝缘材料制成。