[发明专利]刻蚀方法和系统有效
申请号: | 201010568456.X | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN102486987A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 胡骏;李健 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 系统 | ||
1.一种刻蚀方法,其特征在于,包括:
主刻蚀停止后,判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点,如果否,则进入过刻蚀步骤继续捕捉刻蚀停止点,所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时自动停止,以及捕捉到刻蚀停止点之后,再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止;
所述过刻蚀停止后,判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点,如果是,根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间,得出最大主刻蚀时间的修正值;
采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法,其特征在于,还包括:
主刻蚀停止时捕捉到了刻蚀停止点,则按照正常的过刻蚀时间进行过刻蚀。
3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法,其特征在于,还包括:
所述过刻蚀停止前未捕捉到刻蚀停止点,则停止整个刻蚀过程,检查刻蚀设备和/或前层工序。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法,其特征在于,所述最大主刻蚀时间的修正值与刻蚀厚度和最大主刻蚀时间的关系式为:
t2=t1*h2/h1;
其中,t2为最大主刻蚀时间的修正值,t1为最大主刻蚀时间,h2为捕捉到刻蚀停止点时的刻蚀厚度,h1为主刻蚀停止时的刻蚀厚度。
5.根据权利要求4所述的刻蚀方法,其特征在于,所述捕捉到刻蚀停止点时的刻蚀厚度为,捕捉到刻蚀停止点时的刻蚀层厚度与刻蚀前的刻蚀层厚度的差值;
所述主刻蚀停止时的刻蚀厚度为,主刻蚀停止时的刻蚀层厚度与刻蚀前的刻蚀层厚度的差值。
6.根据权利要求4所述的刻蚀方法,其特征在于,所述最大主刻蚀时间的修正值为按照此时刻蚀设备的主刻蚀速率,达到刻蚀停止点所需的主刻蚀时间。
7.根据权利要求1-6任一项所述的刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀方法应用于栅介质层和/或金属层的刻蚀过程。
8.一种刻蚀系统,其特征在于,包括:
第一判断单元,用于主刻蚀停止后,判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点;
第一控制单元,用于所述主刻蚀停止时未捕捉到刻蚀停止点的情况下,控制刻蚀设备进入过刻蚀继续捕捉刻蚀停止点,所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时自动停止,以及捕捉到刻蚀停止点之后,再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止;
第二判断单元,用于过刻蚀停止后,判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点;
计算单元,用于当过刻蚀停止前捕捉到刻蚀停止点的情况下,根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间,得出最大主刻蚀时间的修正值;
第一反馈单元,用于采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程。
9.根据权利要求8所述的刻蚀系统,其特征在于,还包括:
第二控制单元,用于所述主刻蚀停止时捕捉到刻蚀停止点的情况下,控制刻蚀设备按照正常的过刻蚀时间进行过刻蚀;
第二反馈单元,用于所述过刻蚀停止前未捕捉到刻蚀停止点的情况下,停止整个刻蚀过程,检查刻蚀设备和/或前层工序。
10.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其特征在于,还包括:
存储单元,用于存储最大主刻蚀时间、最大过刻蚀时间、正常过刻蚀时间和最大主刻蚀时间的修正值中的至少一种数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造