[发明专利]用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法无效
申请号: | 201010568673.9 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102110592A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 陈鹏;王栾井;宋雪云;谭崇斌;徐峰;徐洲;吴真龙;高峰 | 申请(专利权)人: | 南京大学扬州光电研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 刻蚀 蓝宝石 衬底 表面 加工 前期 生产 方法 | ||
1.用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于包括以下步骤:
1)光刻:在蓝宝石衬底上采用光刻技术制备光刻图形;
2)蒸镀:采用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀金属结构掩膜层;所述金属掩膜层为以金属Ni为间隔层的A/Ni/B/Ni/C/Ni……金属结构层,其中,A、B、C……为Ti、Cr、Al、In、Ag、Au、Sn或Cu中的任意一种,所述金属结构层的层数为1~100层;
3)剥离:将蓝宝石衬底放入去胶剂中,剥离光刻胶。
2.根据权利要求1所述的用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于所述蓝宝石衬底为蓝宝石的c面,或r面,或m面,或a面。
3.根据权利要求1所述的用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于所述步骤1)中,各光刻图形的最小边长或直径为10nm~1000μm。
4.根据权力要求1所述的用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于所述步骤2)中A或B或C或……层的厚度为5nm~50nm,而每层金属Ni层的厚度为5nm~500nm。
5.根据权利要求1所述的用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于所述步骤2)中,所述真空蒸镀设备为电子束蒸发台、磁控溅射机台或热蒸发机台。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学扬州光电研究院,未经南京大学扬州光电研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010568673.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造