[发明专利]覆盖形貌的光学临近效应修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法。

背景技术

现有光学临近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法中为了OPC建模的准确性，会通过收集在平板片上的图形数据进行建模，所述平板片是指只有不同的膜层、但是没有下层图形的硅片也即所述硅片上只具有平整的膜结构、不具有包含台阶状的图形结构。但是在一般的产品的硅片上往往都会包括下层图形结构，采用现有OPC方法就不能反映出下层图形的形貌对于OPC建模的影响，所以OPC模型本身也对于下层图形的形貌缺少了技术覆盖能力。

如图1所示，为现有一种当前层光刻胶图形覆盖前层刻蚀图形的俯视结构图；在平板片上形成有前层刻蚀图形、在所述前层刻蚀图形上形成当前层光刻胶图形，即光刻胶直接形成于前层刻蚀图形上，并用刻蚀工艺形成光刻胶图形。所述平板片为只有不同的膜层、但是没有下层图形的硅片。所述前层刻蚀图形包括多个前层线条图形1，所述当前层光刻胶图形包括多个当前层线条图形2，在部分所述多个前层线条图形1上覆盖有所述当前层线条图形2，被覆盖的部分所述多个前层线条图形1包括大于1的N种不同光刻尺寸。各所述当前层线条图形2的光刻尺寸要根据其对应覆盖的所述前层线条图形1的光刻尺寸设计，图1中的A为各所述前层线条图形1中的一个光刻尺寸，B为所述光刻尺寸为A的所述前层线条图形1被所述当前层线条图形2所覆盖的覆盖尺寸，C为所述当前层线条图形2和其相邻的所述前层线条图形1的空间(Space)。

采用现有覆盖形貌的光学临近效应修正方法修正如图1所示结构时，其中所述覆盖尺寸B的实际值并不能保持为一个相同的值，因为随着各所述前层线条图形1的光刻尺寸的变化，所述覆盖尺寸B的实际值会随着改变；变化规则为光刻尺寸大的所述前层线条图形1所对应的覆盖尺寸B的值小，光刻尺寸小的所述前层线条图形1所对应的覆盖尺寸B的值大。如图2A、图2B所示，为现有方法形成的不同前层线条图形光刻尺寸对应的覆盖尺寸的SEM测量值；可以看出，图2A中的所述前层线条图形1的光刻尺寸小、其对应的覆盖尺寸B的值为179nm，而图2B中的所述前层线条图形1的光刻尺寸小、其两侧对应的覆盖尺寸B的值分别为119nm、126nm。

所以采用现有覆盖形貌的光学临近效应修正方法的缺陷是当前层刻蚀图形的各前层线条图形的光刻尺寸变化时，当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的覆盖能力会变差，不能对不同前层线条图形光刻尺寸对应的覆盖尺寸B进行有效的控制，会使部分覆盖尺寸B的实际值变小，当所述覆盖尺寸B小于一定值时，会影响到后续的光刻工艺和电路的电学性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法，能够提高当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的覆盖能力、有效保证前层刻蚀图形的不同光刻尺寸的前层线条图形对应的覆盖尺寸都大于覆盖尺寸规格值，使后续的光刻工艺和电学性能满足工艺要求。

为解决上述技术问题，本发明提供的覆盖形貌的光学临近效应修正方法，包括如下步骤：

步骤一、设计一组测试图形，在平板片上形成前层刻蚀图形、在所述前层刻蚀图形上形成当前层光刻胶图形；所述前层刻蚀图形包括多个前层线条图形，所述当前层光刻胶图形包括多个当前层线条图形，在部分所述多个前层线条图形上覆盖有所述当前层线条图形，被覆盖的部分所述多个前层线条图形包括大于1的N种不同光刻尺寸，各所述当前层线条图形的光刻尺寸根据其对应覆盖的所述前层线条图形的光刻尺寸设计；测量所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的N种覆盖尺寸测量值。

步骤二、根据所述N种覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值。

步骤三、根据所述覆盖尺寸规格值对各所述当前层线条图形的光刻尺寸进行调整，使调整后形成的所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的结构满足所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的覆盖尺寸都为所述覆盖尺寸规格值。

步骤一中所述一组测试图形的设计包括前层掩模版上的设计、当前层掩模版上的设计、当前层掩模版上的设计与前层掩模版上的设计相互重叠；通过所述前层掩模版上的设计形成所述前层刻蚀图形，通过所述当前层掩模版上的设计、所述当前层掩模版上的设计与所述前层掩模版上的设计相互重叠在所述前层刻蚀图形上形成当前层光刻胶图形。