[发明专利]一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：

a.玻璃基片的清洗；

b.将CuCl₂·2H₂O、SnCl₂·2H₂O、CH₄N₂S(硫脲)放入30～150份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合，并调整PH值至3～10；

c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；

d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触；

e.将步骤d所得产物，进行干燥，得到择尤取向铜锡硫薄膜。

2.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤a所述洗涤，是将玻璃基片大小为2mm×2mm，按体积比放入三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再将玻璃片放入丙酮∶蒸馏水＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再在蒸馏水中将玻璃基片用超声振荡；将上述得到的玻璃基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。

3.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤b所述CuCl₂·2H₂O0.8～1.5份、SnCl₂·2H₂O 1.0～2.0份、硫脲1.0～2.5份。

4.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤b所述的溶剂为去离子水、乙二醇、乙醇胺、氨水、盐酸中至少一种。

5.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤c所述均匀涂抹的基片，是通过匀胶机涂抹，匀胶机以200～3500转/分旋转，然后对基片进行烘干后，再次如此重复5～15次，得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。

6.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤d所述密闭容器内放入1.0～2.0份水合联氨。

7.如权利要求1所述的择尤取向铜锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，步骤e所述干燥为放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出。