[发明专利]一种低反射聚碳酸酯薄膜及其制备装置和制备方法无效

专利信息
申请号: 201010569565.3 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102122007A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 王磊;罗伟;任月璋 申请(专利权)人: 苏州奥美材料科技有限公司
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11;B29C47/00;C08L69/00
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 赵枫
地址: 215011 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 反射 聚碳酸酯 薄膜 及其 制备 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种低反射聚碳酸酯薄膜,其特征是:所述低反射聚碳酸酯薄膜具有第一表面(1)和第二表面(2),所述第一表面(1)或第二表面(2)表面均匀分布有蛾眼状突起(3)。

2.一种低反射聚碳酸酯薄膜的制备装置,其特征是:所述制备装置依次相邻设置有镀铬金属或具有反蛾眼结构的主辊轮(11)、具有反蛾眼结构的中间辊轮(12)和镀铬金属的从动辊轮(13),所述主辊轮(11)与中间辊轮(12)、中间辊轮(12)和从动辊轮(13)之间的间距分别为0.05mm~2.5mm,所述(11)与中间辊轮(12)之间设有成型模头(14)。

3.根据权利要求2所述的低反射聚碳酸酯薄膜的制备装置,其特征是:所述中间辊轮(12)由基辊(22)和镀于基辊(22)上厚度为200-250nm的硅或硅化物层(21)组成,所述硅或硅化物层(21)的外表面形状为反蛾眼结构。

4.根据权利要求2所述的低反射聚碳酸酯薄膜的制备装置,其特征是:所述中间辊轮(12)由如下步骤制作而成:

A、在普通辊轮上镀硅或镀硅化物制成辊筒,所述硅或硅化物层的厚度为200-250nm;

B、将辊筒至于深反应离子刻蚀仪,通入氧气O2,刻蚀除去硅或硅化物层表面有机物;

C、将步骤B中的辊筒再次至于深反应离子刻蚀仪中,通入刻蚀气体,使辊筒表面硅或硅化物层形成反类蛾眼状凹坑;

D、最后用1%的HF漂洗辊筒表面,去除异物。

5.一种低反射聚碳酸酯薄膜的制备方法,其特征是:所述制备方法采用如下步骤:

a、原料聚碳酸酯粒料进行预干燥,以消除粒子含有的水分;

b、将干燥好的粒子进入挤出成型装置,然后通过挤出成型装置挤出聚碳酸酯薄膜并送至低反射聚碳酸酯薄膜的制备装置中,最后冷却、切割。

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