[发明专利]对半导体器件的保护层残留聚合物的去除方法

权利要求书

1.一种对半导体器件的保护层残留聚合物的去除方法，该方法包括：

在半导体器件的顶层金属层上沉积保护层后，涂覆光刻胶层；

以具有保护层图形的掩膜对光刻胶层曝光后显影，得到具有保护层图形的光刻胶层；

以具有保护层图形的光刻胶层为掩膜，刻蚀保护层，在保护层上残留聚合物；

采用灰化和湿洗的方式去除剩余的光刻胶层，采用去离子水喷射的方式去除残留聚合物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去离子水喷射为分子化喷射或高压喷射。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分子化喷射为采用氮气喷射出离子水；

所述高压喷射为采用泵增压喷射去离子水。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述残留聚合物位于保护层侧壁，所述去离子水喷射到保护层侧壁上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除残留聚合物的时间长度与残留聚合物的数量成正比。