[发明专利]防护装置部件的应力缓冲

权利要求书

1.旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构，包括：

具有至少第一侧的第一聚合物层，该第一侧与形成在所述半导体衬底上的至少一部分的钝化层接触，所述半导体衬底在所述相同面上具有一个或多个连接垫；

具有第一侧的第二聚合物层，该第一侧与所述第一聚合物层的相对的第二侧接触；以及

金属板，其与所述第二聚合物层的相对的第二侧接触；

其中所述金属板具有一个或多个金属层，并与所述半导体衬底的所述连接垫在物理上和电学上隔离。

2.如权利要求1所述的应力缓冲结构，其中所述金属板包括设置在所述第二聚合物层的所述第二侧上方的第一金属层。

3.如权利要求2所述的应力缓冲结构，其中所述金属板包括设置在所述第一金属层上方的第二金属层。

4.如权利要求3所述的应力缓冲结构，其中所述金属板进一步包括设置在所述第二金属层上方的第三金属层。

5.如权利要求2所述的应力缓冲结构，其中所述第一金属层选自钛、钨、钒和它们的合金或混合物。

6.如权利要求3所述的应力缓冲结构，其中所述第二金属层选自铜、铝、镍和它们的合金或混合物。

7.如权利要求4所述的应力缓冲结构，其中所述第三金属层选自钛、钨、钒和它们的合金或混合物。

8.如权利要求5所述的应力缓冲结构，其中所述第一金属层具有从约0.02至约20微米的厚度。

9.如权利要求6所述的应力缓冲结构，其中所述第二金属层具有从约0.2至约20微米的厚度。

10.如权利要求7所述的应力缓冲结构，其中所述第三属层具有从约0.02至约2微米的厚度。

11.如权利要求2所述的应力缓冲结构，进一步包括包覆并接触所述金属板的第三聚合物层。

12.如权利要求1所述的应力缓冲结构，其中所述第一聚合物层选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的聚合物和聚苯并唑。

13.如权利要求1所述的应力缓冲结构，其中所述第二聚合物层选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的聚合物和聚苯并唑。

14.如权利要求11所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层选自聚酰亚胺、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的聚合物和聚苯并唑。

15.如权利要求12所述的应力缓冲结构，其中所述第一聚合物层具有从约1至约50微米的厚度。

16.如权利要求13所述的应力缓冲结构，其中所述第二聚合物层具有从约1至50微米的厚度。

17.如权利要求14所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层具有从约1至50微米的厚度。

18.如权利要求2所述的应力缓冲结构，其中所述半导体衬底具有至少一个对应力敏感的部件，并且其中所述第一聚合物层覆盖至少一个所述部件。

19.如权利要求2所述的应力缓冲结构，其中所述第二聚合物层包覆所述第一聚合物层并延伸至一部分的所述钝化层上。

20.如权利要求2所述的应力缓冲结构，其中所述金属板包覆所述第二聚合物层并延伸至一部分的所述第一聚合物层上。

21.如权利要求11所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层包覆所述金属板并延伸到至少一部分的所述第一聚合物层及所述钝化层上。

22.如权利要求11所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层包覆所述金属板并延伸到至少一部分的所述第二聚合物层上。

23.如权利要求22所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层进一步延伸到至少一部分的所述钝化层上。

24.如权利要求11所述的应力缓冲结构，其中所述第三聚合物层包覆所述金属板并延伸到至少一部分的所述第一、第二聚合物层及所述钝化层上。