[发明专利]下电极装置及半导体设备无效
| 申请号： | 201010569759.3 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102480831A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;张良 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 装置 半导体设备 | ||
1.一种下电极装置，包括下电极、匹配器、射频电源、第一连接器、第二连接器和射频电缆，所述匹配器分别连接所述第二连接器和所述射频电源，且所述射频电缆分别连接所述第一连接器和所述第二连接器，其特征在于，还包括阻抗网络；
所述阻抗网络连接在所述下电极与所述第一连接器之间，以使所述射频电源的输出功率依次经过所述匹配器、第二连接器、射频电缆、第一连接器、阻抗网络而输送至所述下电极。
2.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，还包括用于驱动所述下电极进行上下移动的升降机构，所述升降机构与所述下电极相连。
3.根据权利要求1或2任意一项所述的下电极装置，其特征在于，所述阻抗网络包括至少一个电容或电感。
4.根据权利要求1或2任意一项所述的下电极装置，其特征在于，
所述阻抗网络为Pi型阻抗网络、L型阻抗网络或T型阻抗网络。
5.根据权利要求4所述的下电极装置，其特征在于，
所述阻抗网络包括：多个电容的组合、多个电感的组合、或电容和电感的组合。
6.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述阻抗网络设置在所述下电极上。
7.一种下电极装置，包括下电极、连接器和射频电缆，其特征在于，还包括阻抗网络和可调频射频电源；
所述阻抗网络与所述下电极连接，且依次通过所述连接器、射频电缆连接于所述可调频射频电源，以使所述射频电源的输出功率依次经过所述射频电缆、连接器、阻抗网络输送至所述下电极。
8.根据权利要求7所述的下电极装置，其特征在于，还包括用于驱动所述下电极进行上下移动的升降机构，所述升降机构与所述下电极相连。
9.根据权利要求7或8任意一项所述的下电极装置，其特征在于，
所述阻抗网络包括至少一个电容或电感。
10.根据权利要求7或8任意一项所述的下电极装置，其特征在于，
所述阻抗网络为Pi型阻抗网络、L型阻抗网络或T型阻抗网络。
11.根据权利要求10所述的下电极装置，其特征在于，
所述阻抗网络包括：多个电容的组合、多个电感的组合、或电容和电感的组合。
12.根据权利要求8所述的下电极装置，其特征在于，所述阻抗网络设置在所述下电极上。
13.一种半导体设备，包括反应腔室，其特征在于，还包括权利要求1-6中任一的下电极装置或者权利要求7-12中任一的下电极装置。
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