[发明专利]沟槽隔离形成方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：

采用低压化学气相淀积工艺在半导体晶片表面上形成第一氧化硅层；

在第一氧化硅层中刻蚀形成沟槽图形；

以刻蚀后的第一氧化硅层为掩模在半导体晶片中刻蚀形成沟槽；

去除第一氧化硅层；

进行沟槽氧化，在沟槽表面上形成氧化硅绝缘区；

采用低压化学气相淀积工艺淀积多晶硅填充沟槽；

进行多晶硅平坦化回蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一氧化硅层的厚度不大于4000埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

采用干法刻蚀工艺在第一氧化硅层中刻蚀形成沟槽图形。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成沟槽图形之后，还包括：

采用湿法刻蚀工艺去除光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

采用湿法刻蚀工艺去除第一氧化硅层，刻蚀溶液中氢氟酸和氟化铵的比例为1∶20，刻蚀时间为不大于2分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

进行沟槽氧化时的温度不低于1150摄氏度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

采用热氧化生长工艺进行沟槽氧化。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行多晶硅平坦化回蚀之后，还包括：

采用低压气相淀积工艺在半导体晶片表面上淀积形成第二氧化硅层；

在第二氧化硅层中刻蚀形成沟槽保护区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

采用湿法刻蚀工艺在第二氧化硅层中刻蚀形成沟槽保护区。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述第二氧化硅层的厚度不大于4000埃。