[发明专利]镀氮化硅减反射膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池的生产加工技术领域，更具体地说，涉及一种镀氮化硅减反射膜的方法。

背景技术

近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能力转换的光电元件，它可以在太阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。

太阳能电池片的生产工艺比较复杂，简单说来，目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤：

步骤S11、表面制绒以及化学清洗硅片表面，通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构，以增强光的吸收；

步骤S12、扩散制结，将P型的硅片放入扩散炉内，使N型杂质原子硅片表面层，通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就是使硅片具有光伏效应；

步骤S13、等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层；

步骤S14、PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强的化学蒸发沉积)，即沉积减反射膜，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；

步骤S15、印刷电极，采用银浆印刷正电极和背电极，采用铝浆印刷背场，以收集电流并起到导电的作用；

步骤S16、烧结，在高温下使印刷的电极与硅片之间形成欧姆接触。

上述PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或者另外的发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过一系列化学反应和等离子体反应后，在样品表面形成固态薄膜。目前的太阳能电池生产中，一般以NH₃和SiH₄为反应气体，反应之后形成一层深蓝色的SiNx:H薄膜，其中的SiNx(即氮化硅)起减反射作用，而H(即氢)可以起到体钝化的作用。

在实施本发明创造的过程中，发明人经过研究发现，现有沉积减反射膜技术存在改进空间，氮化硅薄膜的均匀性还可以进一步改善。

发明内容

本发明实施例提供了一种镀氮化硅减反射膜的方法，以进一步氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种镀氮化硅减反射膜的方法，包括：

向炉管充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；

保持炉内温度c1＝455～465℃，时间至少为8分钟；

进行压力测试，保证压力恒定；

氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4～5L，射频功率为2000～3000w，时间为100～200s；

依次进行三次沉积，各次沉积温度依次下降预设度数c2，其他工艺参数均为：氨气流量为3500～4500sccm，硅烷流量为450～600sccm，射频功率为2000～3000w，持续时间为250～300s，占空比为5∶50，压强为180～200Pa；

镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。

优选的，上述方法中，所述炉管为48所管式。

优选的，上述方法中，c1具体为460℃。

优选的，上述方法中，c2具体为3-7℃。

优选的，上述方法中，c2具体为5℃。

针对现有48所管式PEVCD设备的温控性能还不够完善的现状，本发明实施例提出一种变温镀氮化硅减反射膜的方案，改善氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为现有技术晶体硅太阳能电池的制作方法流程图；

图2为本发明实施例所提供的一种镀氮化硅减反射膜的方法的基本流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。