[发明专利]铁磁性化合物磁铁有效
申请号: | 201010570710.X | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102262949A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 铃木启幸;小室又洋;佐通祐一;今川尊雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01F1/053 | 分类号: | H01F1/053;H01F7/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁磁性 化合物 磁铁 | ||
1.铁磁性化合物磁铁,其特征在于,在R-Fe(R为4f过渡元素或Y)的2元素体系或R-Fe-T(R为4f过渡元素或Y,T为除Fe外的3d过渡元素或Mo、Nb、W)的3元素体系合金构成的铁磁性化合物磁铁中,上述4f过渡元素相对上述3d过渡元素之比在15%以下,在上述合金的结晶晶格的填入位置配置F元素,用化学式R2Fe17Fx(0<x≤3)表示。
2.铁磁性化合物磁铁,其特征在于,在R-Fe(R为4f过渡元素或Y)的2元素体系或R-Fe-T(R为4f过渡元素或Y,T为除Fe外的3d过渡元素或Mo、Nb、W)的3元素体系合金构成的铁磁性化合物磁铁中,上述4f过渡元素相对上述3d过渡元素之比在15%以下,在上述合金的结晶晶格的填入位置配置F元素,用化学式R3(Fe,T)29Fy(0<y≤4)表示。
3.铁磁性化合物磁铁,其特征在于,在R-Fe(R为4f过渡元素或Y)的2元素体系或R-Fe-T(R为4f过渡元素或Y,T为除Fe外的3d过渡元素或Mo、Nb、W)的3元素体系合金构成的铁磁性化合物磁铁中,上述4f过渡元素相对上述3d过渡元素之比在15%以下,在上述合金的结晶晶格的填入位置配置F元素,用化学式R(Fe,T)12FZ(0<z≤1)表示。
4.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Sm,居里温度上升率与结晶晶格常数的a轴扩大率之比(居里温度上升率(%)/结晶晶格常数的a轴扩大率(%))为25.2(±5),纵轴切片为1.8(±3)。
5.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Nd,居里温度上升率与结晶晶格常数的a轴扩大率之比(居里温度上升率(%)/结晶晶格常数的a轴扩大率(%))为7.2(±2.2),纵轴切片为39.2(±1.5)。
6.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Sm,居里温度上升率与晶胞体积扩大率之比(居里温度上升率(%)/晶胞体积扩大率(%))为12.8(±4),纵轴切片为1.8(±5)。
7.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Nd,居里温度上升率与晶胞体积扩大率之比(居里温度上升率(%)/晶胞体积扩大率(%))为4.3(±1.5),纵轴切片为38.3(±1.0)。
8.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Sm或Nd,17℃的每单位质量的饱和磁化增加率与结晶晶格常数的a轴扩大率之比(17℃的每单位质量的饱和磁化增加率(%)/结晶晶格常数的a轴扩大率(%))为22.3(±5)。
9.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述4f过渡元素为Sm或Nd,17℃的每单位质量的饱和磁化增加率与晶胞体积扩大率之比(17℃的每单位质量的饱和磁化增加率(%)/晶胞体积扩大率(%))为11.7(±5)。
10.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述R为Sm、Er、Tm,具有单轴磁各向异性。
11.按照权利要求3所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述R为Pr、Nd、Tb、Dy,具有单轴磁各向异性。
12.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,上述合金的相分解温度比居里温度高,相分解温度与居里温度之差为20℃~120℃。
13.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,还含有作为主相的铁磁性化合物,同时含有作为异相的Fe、FeF2、及FeF3。
14.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,氟浓度是晶粒边界比母相中心高。
15.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,氟浓度从晶粒边界至母相中心具有浓度梯度。
16.按照权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁,其特征在于,在晶粒或磁粉周围氟化合物形成层状。
17.旋转机,其特征在于,转子采用权利要求1所述的铁磁性化合物磁铁。
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