[发明专利]太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是将太阳光转换为电能的装置，使用称为P型半导体、N型半导体的两种半导体发电。

光照射到太阳能电池上，在内部产生电子和空穴，产生的电荷向P型半导体、N型半导体移动，并且根据此现象，在P型半导体与N型半导体之间产生电位差(光电动势)。此时，若在太阳能电池上连接负载，则会出现电流流动。

根据所使用的材质，太阳能电池大致分为使用硅材质的太阳能电池和使用化合物材质的太阳能电池；进一步地，硅材质的太阳能电池分为单晶及多晶的结晶系硅和非结晶系硅。

目前，通常用作太阳能发电系统的大部分是硅材质的太阳能电池。

尤其，由于转换效率高、稳定性高，广泛使用结晶系硅材质的单晶及多晶太阳能电池。

其中，单晶硅材质的太阳能电池虽然具有效率高的优点，但是，具有制造成本高的缺点。

相对于此，多晶硅材质的太阳能电池与单晶硅基板相比，虽然具有效率低的缺点，但是具有制造成本低并可以大量生产容易的优点。

如上所述，结晶系硅材质的太阳能电池、尤其是多晶硅材质的太阳能电池，由于具有制造成本低并大量生产容易的优点，因此需求量增加，为了完善效率低的缺点，需要研究多种解决方案。

另外，硅基板为单晶硅时，以引上法等形成；硅基板为多晶硅时，使用线状锯(saw)等，切割由铸造法形成的硅锭而制造。

但是，在切割硅锭的过程中，基板表面会产生裂纹等表面损伤，若不去除这种表面损伤，则存在太阳能电池转换效率降低的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供多晶硅材质的太阳能电池制造方法、太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池，通过切割的基板表面去除表面损伤之后，形成多个微突起来降低反射率，从而能够提高太阳能电池的效率。

为实现所述的本发明的目的，本发明提供太阳能电池制造方法，包括：SDR步骤，从由硅锭切割而成的多晶硅基板的表面去除表面损伤；表面粗化(Texturing)步骤，所述的SDR步骤之后，在基板的受光面上形成多个微突起。

所述SDR步骤之后的基板，优选为由各基板的边缘所形成的形状的理想面积，与基板的实际表面积的比值大于1.00、小于1.11。

所述SDR步骤之后的基板，优选为从各基板表面任意选择地点选择1.00cm×1.00cm的正方形时，选择地点的实际表面积大于1.00cm²、小于1.11cm²。

并且，所述表面粗化步骤之后的基板，优选为第一虚拟线的长度与第二虚拟线的长度的比值大于1.00、小于1.11，所述的第一虚拟线的长度是指在基板的边缘截断时，连接截面中位于一端的微突起的第一顶点至位于另一端微突起的第二顶点的距离；所述的第二虚拟线的长度是指沿截面连接所述的第一顶点至第二顶点的各微突起顶点的距离。

并且，所述表面粗化步骤之后的基板，优选为第一虚拟线的长度与第二虚拟线的长度的比值大于1.00、小于1.11，所述的第一虚拟线的长度是在基板表面的任意地点以1.00cm的直线截断时，连接截面中位于一端的微突起的第一顶点至位于另一端微突起的第二顶点的距离；所述的第二虚拟线的长度是指沿截面连接所述的第一顶点至第二顶点的各微突起顶点的距离。

所述SDR步骤之后，能够形成多个凸部，所述的凸部具有相比由所述的表面粗化步骤形成的微突起更宽的宽度。并且，从所述凸部的峰顶至相邻峰谷的水平距离为W，从顶峰至峰谷的垂直距离称为H，R＝H/W时，所述SDR步骤之后的基板优选为在各基板的边缘截断时，沿该截面与各凸部相对应的R平均值大于0.00、小于0.50。

并且，从所述凸部的峰顶至相邻峰谷的水平距离为W，从峰顶至峰谷的垂直距离为H，R＝H/W时，所述SDR步骤之后的基板优选为在各基板表面的任意地点以1.00cm的直线截断时，该截面中与各凸部对应的R的平均值大于0.00、小于0.50。

所述微突起优选形成为其宽度及高度分别小于2μm，所述的微突起更优选形成为其宽度及高度分别小于1μm。

所述微突起优选形成为其宽度与高度的纵横比值小于2.0。

所述的SDR步骤可以由如NaOH水溶液或KOH水溶液等碱性水溶液实施。

所述的表面粗化步骤能够由反应性离子蚀刻实施。

本发明还提供根据所述的太阳能电池制造方法所制造的太阳能电池。