[发明专利]集成晶片托盘无效
| 申请号： | 201010570991.9 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102130035A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朴根佑;李诚宰;罗润柱;崔麟奎 | 申请（专利权）人： | 塔工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田军锋;王婧 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 晶片 托盘 | ||
1.一种集成晶片托盘，所述集成晶片托盘包括：
上部托盘，所述上部托盘具有夹持开口以及夹持单元，所述夹持单元突出至所述夹持开口的上内部；以及
下部托盘，所述下部托盘具有加压突起并将晶片安置在所述加压突起的上表面上，所述加压突起突出以在所述夹持开口的方向上插入。
2.如权利要求1所述的集成晶片托盘，其中，冷却气体供给孔以向下贯穿的方式形成在所述加压突起中。
3.如权利要求2所述的集成晶片托盘，其中，所述加压突起的上表面的轮廓处设置有第一O型圈，所述第一O型圈用于防止通过所述冷却气体供给孔供给的冷却气体泄漏。
4.如权利要求3所述的集成晶片托盘，其中，所述第一O型圈是中空的O型圈。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的集成晶片托盘，其中，所述上部托盘从所述下部托盘的底部结合有结合构件。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的集成晶片托盘，其中，冷却气体额外地通过所述下部托盘的上表面与所述上部托盘的下表面之间的间隙供给。
7.如权利要求1至4中的任一项所述的集成晶片托盘，其中，在所述下部托盘的上表面与所述上部托盘的下表面之间的间隙处设置有用于热传导的涂层。
8.如权利要求6所述的集成晶片托盘，其中，在所述上部托盘的底部与所述下部托盘的上表面中的任一个的轮廓处设置有上部/下部密封构件。
9.如权利要求8所述的集成晶片托盘，其中，所述上部/下部密封构件是唇式密封件。
10.如权利要求8所述的集成晶片托盘，其中，所述加压突起的外部周边上设置有第二O型圈。
11.如权利要求3所述的集成晶片托盘，其中，所述加压突起的上表面上形成有晶片安置表面，并且所述晶片安置表面的轮廓处设置有第一O型圈插槽。
12.如权利要求11所述的集成晶片托盘，其中，所述第一O型圈插槽的轮廓处设置有用于防止所述第一O型圈分离的第一O型圈引导部。
13.如权利要求1所述的集成晶片托盘，其中，所述夹持单元是环形夹持单元或点夹持单元。
14.一种集成晶片托盘，所述集成晶片托盘包括：
下部托盘，其中，突出的加压突起的上表面上安置有晶片；以及
上部托盘，其中，形成插入有所述加压突起的夹持开口以夹持所述晶片。
15.如权利要求14所述的集成晶片托盘，其中，所述加压突起中以向下贯穿的方式形成有冷却气体供给孔。
16.如权利要求14和15中任一项所述的集成晶片托盘，其中，所述上部托盘从所述下部托盘的底部结合有结合构件。
17.如权利要求15所述的集成晶片托盘，其中，所述冷却气体额外地通过所述下部托盘的上表面与所述上部托盘的下表面之间的间隙供给。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
