[发明专利]一种硅片手指印去除方法及清洗方法

权利要求书

1.一种硅片手指印去除方法，其特征在于，包括步骤：

1)采用纯水对硅片进行超声清洗；

2)用丙酮和酒精的混合溶液对硅片进行浸泡；

3)挥发硅片表面的丙酮和酒精的混合溶液。

2.如权利要求1所述的硅片手指印去除方法，其特征在于，所述步骤1)具体为分别采用80～90℃，60～70℃，40～50℃的纯水，对硅片进行超声清洗各150～220秒。

3.如权利要求1所述的硅片手指印去除方法，其特征在于，所述步骤2)具体为将硅片放入载有丙酮酒精溶液的槽中，常温浸泡20～40秒。

4.如权利要求1-3任一项所述的硅片手指印去除方法，其特征在于，所述步骤3)具体为采用70～90℃的流动空气在空槽中对硅片表面的丙酮酒精溶液进行挥发，挥发时间为150～300秒。

5.一种硅片的清洗方法，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的硅片手指印去除方法，以及在所述步骤3)之后的步骤：

4)去除损伤层，采用80～90℃的氢氧化钠溶液，对硅片进行去损42～60秒；

5)硅片表面制绒，采用浓度比为3/3/8的NaoH/Na2SiO3/异丙醇组成的混合溶液对硅片表面进行制绒处理；

6)酸清洗，硅片分别浸入氢氟酸和盐酸中各清洗200～280秒；

7)将硅片送入隧道并进行喷淋处理，然后进行甩干处理。