[发明专利]无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法

权利要求书

1.一种无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，包括：

使用表面活性剂溶液对所述半导体晶圆进行预显影，所述半导体晶圆的表面涂覆光刻胶层且已完成曝光和曝光后烘烤处理，所述预显影使所述光刻胶层的表面由疏水性变为亲水性；

使用显影液对所述半导体晶圆进行显影，使曝光图案显现在所述光刻胶层上；

对所述半导体晶圆进行清洗，去除溶解有光刻胶的显影液和多余的显影液。

2.根据权利要求1所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，还包括：在进行所述预显影前，采用去离子水对所述半导体晶圆进行预湿润。

3.根据权利要求1或2所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述预显影包括：

向所述半导体晶圆喷洒表面活性剂溶液，并使所述表面活性剂溶液在所述半导体晶圆上驻留第一时间；

旋转所述半导体晶圆，使所述表面活性剂均匀的涂覆在晶圆表面。

4.根据权利要求3所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述半导体晶圆的旋转速率小于或等于2000转/分。

5.根据权利要求1所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂为除金属离子表面活性剂外的表面活性剂。

6.根据权利要求5所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂包括：高级脂肪酸的铵盐、两性离子表面活性剂、脂肪酸甘油酯、多元醇或聚氧乙烯型表面活性剂中的一种。

7.根据权利要求1、5或6所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂溶液的流速范围为：100～1500毫升/秒。

8.根据权利要求1、5或6所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂溶液的浓度小于临界胶束浓度。

9.根据权利要求1、5或6所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂溶液的在所述半导体晶圆上驻留第一时间的范围包括0.5～20秒。

10.根据权利要求1所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述进行显影包括：

向所述光刻胶层喷洒显影液，使显影液布满整个光刻胶层表面；

间歇性的旋转所述半导体晶圆，使显影液与光刻胶层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光刻胶溶解。

11.根据权利要求1所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述进行显影包括：

向所述光刻胶层喷洒显影液，使显影液布满整个光刻胶层表面；

保持所述半导体晶圆静止第二时间，显影液与光刻胶层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光刻胶溶解。

12.根据权利要求11所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述第二时间的取值范围包括：10～150秒。

13.根据权利要求1所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述进行清洗包括：旋转所述半导体晶圆，向所述光刻胶层喷洒去离子水，使溶解有光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶圆边缘之外。

14.根据权利要求13所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，在开始向所述光刻胶层喷洒去离子水时以及之后的第三时间内，使所述半导体晶圆的旋转速率小于或等于2000转/分。

15.根据权利要求14所述的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，所述第三时间的取值范围大于或者等于60秒。