[发明专利]等离子加工装置

权利要求书

1.一种等离子加工装置，包括：

真空腔室；

等离子反应腔，位于所述真空腔室内，用于进行等离子加工工艺；

射频功率源，用于向所述等离子反应腔提供射频信号；

射频功率传输单元，用于将所述射频功率源提供的射频信号传输至所述真空腔室的等离子反应腔内，其特征在于，所述射频功率传输单元包括传输所述射频信号的传输线，以及用于屏蔽所述传输线的电磁场的外导体。

2.如权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述外导体为导管、导电箔或者金属外罩。

3.如权利要求2所述的等离子加工装置，其特征在于，所述真空腔室具有真空腔内壁，所述等离子反应腔具有等离子反应腔外壁，所述外导体一端与所述真空腔内壁相连，另一端与所述等离子反应腔外壁相连。

4.如权利要求3所述的等离子加工装置，其特征在于，所述等离子反应腔外壁与所述真空腔内壁的材料为导电材料，所述等离子反应腔外壁、所述真空腔内壁与所述外导体构成封闭的电磁屏蔽体。

5.如权利要求3所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线为管状、柱状、金属网状或者金属丝状。

6.如权利要求3所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线为圆柱体，所述外导体具有圆柱形的内表面。

7.如权利要求3中所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线的直径大于等于10mm。

8.如权利要求1-7的任一项所述的等离子加工装置，其特征在于，所述外导体与所述传输线之间有间距，所述间距小于等于10mm。

9.如权利要求8所述的等离子加工装置，其特征在于，所述真空腔室内的气压为0.03-3mbar，所述射频功率源的电压为100-500V。

10.如权利要求8所述的等离子加工装置，其特征在于，所述间距大于等于1mm。

11.如权利要求10所述的等离子加工装置，其特征在于，所述外导体内径为大于12mm小于等于60mm。

12.如权利要求11所述的等离子加工装置，其特征在于，所述外导体材料为铜、铝、金、银、铁、锌、铬、铅、钛中的一种、多种或包含上述材料的合金。

13.如权利要求12所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线材料为铜、铝、金、银、铁、锌、铬、铅、钛中的一种、多种或包含上述材料的合金。

14.如权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线与外导体之间填充有绝缘介质。

15.如权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线与所述外导体形成同轴体。

16.如权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述真空腔室具有真空腔气压调节单元，所述真空腔气压调节单元包括第一排气通路。

17.如权利要求16所述的等离子加工装置，其特征在于，所述等离子反应腔具有反应腔气压调节单元，所述反应腔气压调节单元包括第二排气通路。

18.如权利要求17所述的等离子加工装置，其特征在于，所述第一排气通路与所述第二排气通路与同一排气泵相连。

19.如权利要求17所述的等离子加工装置，其特征在于，所述第一排气通路与所述第二排气通路分别与不同排气泵相连。

20.如权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述等离子反应腔具有射频电极以及与所述射频电极连接的第一进气通路。

21.如权利要求20所述的等离子加工装置，其特征在于，所述传输线一端与所述射频功率源相连，另一端与所述射频电极相连。

22.如权利要求21所述的等离子加工装置，其特征在于，所述射频功率源设置于所述真空腔室之外。

23.如权利要求21所述的等离子加工装置，其特征在于，所述射频功率源包括：射频产生单元，以及连接所述射频产生单元的匹配器，所述匹配器用于调节所述射频信号的耦合功率。