[发明专利]晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201010571330.8 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487012A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 史运泽;徐友锋;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L21/762;C23F1/24;C23F1/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层、位于所述栅介质层上的伪栅极；
进行离子注入，在所述伪栅极和栅介质层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；
在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；
利用酸性溶液，进行酸性刻蚀工艺，去除部分所述伪栅极，去除的伪栅极的厚度为第一厚度，所述第一厚度小于所述伪栅极整体的厚度；
利用碱性溶液，进行碱性刻蚀工艺，去除剩余的伪栅极，在所述层间介质层内形成露出所述栅介质层的沟槽；
在所述沟槽的侧壁和底部形成高K介质层；
在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽。
2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述酸性溶液利用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液进行。
3.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述氢氟酸与硝酸的质量比例为1/2～1/7，氢氟酸与醋酸的质量比例为1/40～1/80。
4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液为氢氧化铵或氢氧化四甲基铵与水的混合溶液。
5.如权利要求4所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液中氢氧化铵或氢氧化四甲基铵的质量比例为2～50％。
6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述碱性刻蚀工艺的温度范围为50～90摄氏度，时间范围为50～200秒。
7.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述酸性刻蚀工艺的温度范围为25～70摄氏度，时间范围为30～110秒。
8.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一厚度范围为50～500埃。
9.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述伪栅极的厚度范围为600～1000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
