[发明专利]一种发光二极管外延片、芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 201010571463.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479891A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 严光能 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/04;C23C14/10;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供发光二极管晶圆片；
步骤二、将具有通孔的掩模板紧贴在所述晶圆片的表面，通过真空镀膜机在所述晶圆片的表面形成折射率小于1.5的粗糙结构；
步骤三、分离所述掩模板，得到发光二极管外延片。
2.如权利要求1所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述掩模板为钢板。
3.如权利要求1所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述通孔具有位于掩模板上表面的第一形状和位于掩模板下表面的第二形状，所述第一形状为圆形。
4.如权利要求3述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述第一形状的直径为2-5微米。
5.如权利要求3述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述第一形状的面积小于第二形状的面积。
6.如权利要求3所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述通孔为阵列排布。
7.如权利要求6所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述第一形状之间的间距为2-3微米。
8.如权利要求1所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述掩膜板的厚度为5-15微米。
9.如权利要求1所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述粗糙结构的材料为二氧化硅、氟化钙或者氟化镁。
10.如权利要求9所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述步骤三之后，还包括将发光二极管外延片放入到退火炉中，在500度中退火的步骤。
11.如权利要求1所述发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述掩模板正对着蒸发源或靶源。
12.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片由权利要求1-11任一项所述制作方法制作得到。
13.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片由权利要求12所述的发光二极管外延片经由制备电极、崩裂而得到。
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