[发明专利]一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010572022.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102094172A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李长生;莫超超;唐华;范有志;胡志立 | 申请（专利权）人： | 无锡润鹏复合新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王雪梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tiwn mos sub 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)预处理：选取基材，并对基材进行表面抛光以及清洗处理；
(2)制备TiWN薄膜：在氮气和氩气氛围中，采用Ti靶和W靶通过磁控溅射法在上述基材表面溅射TiWN薄膜；
(3)制备MoS2薄膜：在氩气氛围中，采用MoS2靶通过磁控溅射法在上述TiWN薄膜上溅射MoS2薄膜，得到TiWN/MoS2复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备TiWN薄膜时磁控溅射的功率为200～250瓦。
3.根据权利要求1所述的TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备MoS2薄膜时磁控溅射的功率为150～200瓦。
4.根据权利要求1所述的TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用射频溅射电源。
5.根据权利要求1所述的TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述溅射的时间为1～2小时。
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