[发明专利]荧光材料以及白光发光组件无效

专利信息
申请号: 201010572329.7 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102041003A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 邱创弘;李怀安 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 215217 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 荧光 材料 以及 白光 发光 组件
【权利要求书】:

1.一种荧光材料,具有一组成成分,其特征在于,该组成成分包括掺杂有铕(Eu)以及锰(Mn)至少其中一者的一铝氮氧化物。

2.如权利要求1所述的荧光材料,其特征在于,该铝氮氧化物包括(M1-m-nEumMnn)Al11O16N,其中M为金属,0≦m≦0.2,且0≦n≦0.25。

3.如权利要求2所述的荧光材料,其特征在于,M包括一碱土金属。

4.如权利要求1所述的荧光材料,其特征在于,该组成成分吸收的激发光波长由250nm至400nm。

5.如权利要求1所述的荧光材料,其特征在于,该组成成分放出的放射光波长由420nm至560nm。

6.一种白光发光组件,其特征在于,包括:

一发光二极管芯片,配置于一基板上,并用以发出一激发光;

一第一荧光材料,配置于该发光二极管芯片上,该第一荧光材料的一组成成分包括掺杂有铕(Eu)以及锰(Mn)至少其中一者的一铝氮氧化物;以及

一第二荧光材料,配置于该发光二极管芯片上,其中该第一荧光材料吸收该发光二体芯片所发出的该激发光后发出的一第一放射光,该第二荧光材料吸收该发光二体芯片所发出的该激发光后发出的一第二放射光,且该第一放射光与该第二放射光混合成一白光。

7.如权利要求6所述的白光发光组件,其特征在于,该铝氮氧化物包括(M1-m-nEumMnn)Al11O16N,其中M为金属,0≦m≦0.2,且0≦n≦0.25。

8.如权利要求7所述的白光发光组件,其特征在于,M包括一碱土金属。

9.如权利要求6所述的白光发光组件,其特征在于,该激发光的波长由250nm至400nm。

10.如权利要求6所述的白光发光组件,其特征在于,该第一放射光的波长由420nm至560nm。

11.如权利要求6所述的白光发光组件,其特征在于,该二放射光的波长由570nm至680nm。

12.如权利要求6所述的白光发光组件,其特征在于,还包括一封装胶体,配置于该基板上,覆盖住该发光二极管芯片且该第一荧光材料与该第二荧光材料皆散布于该封装胶体中。

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