[发明专利]半导体发光芯片制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光芯片制造方法，包括步骤：

1)提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿其第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷；

2)蚀刻磊晶层，磊晶层的缺陷被蚀刻而形成深入到发光层的凹槽；

3)分别形成电连接第一半导体层及第二半导体层的第一电极及第二电极。

2.如权利要求1所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：基板顶面具有多个沟槽及多个凸脊，缺陷位于凸脊上方。

3.如权利要求2所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：沟槽与凸脊交替分布于基板顶面。

4.如权利要求1所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：沟槽内部形成缓冲层，缓冲层的厚度小于沟槽的深度，缓冲层位于磊晶层及基板之间。

5.如权利要求1所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：凹槽从第二半导体顶面延伸并终止于发光层底面。

6.如权利要求5所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：凹槽的宽度自第二半导体层朝向发光层逐渐减小而形成倾斜的内壁。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：步骤2)中所采用的是湿蚀刻。

8.如权利要求7所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：步骤2)与步骤3)之间还包括在磊晶层表面形成绝缘层的过程，绝缘层包括填满凹槽的部分。

9.如权利要求8所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：绝缘层还包括覆盖第二半导体层顶面的部分。

10.如权利要求9所述的半导体发光芯片制造方法，其特征在于：步骤2)与步骤3)之间还包括去除绝缘层覆盖第二半导体层顶面的部分，并在暴露出的第二半导体层表面形成透明导电层的步骤。