[发明专利]相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法

权利要求书

1.一种相位移掩模版，其特征在于，包括：

掩模版基板，所述掩模版基板包括：透明基材；位于所述透明基材上的相位移层；位于所述相位移层上的遮蔽层；

位于所述掩模版基板上的至少一个切割滑道；

位于除所述切割滑道所在区域外的所述掩模版基板上的多个器件图案；

位于所述掩模版基板上且位于所述切割滑道所在区域内的至少一个检测图案，所述检测图案用于检测所述相位移掩模版上的雾状缺陷；

位于掩模版基板边缘的挡光区域。

2.根据权利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述检测图案的掩模误差增强因子大于或等于3。

3.根据权利要求1或2所述的相位移掩模版，其特征在于，所述检测图案同所述器件图案相同。

4.根据权利要求1或2所述的相位移掩模版，其特征在于，所述检测图案包括：所述相位移掩模版的最小设计尺寸图形。

5.根据权利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述透明基材的材料为二氧化硅或氟化钙。

6.根据权利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述遮蔽层的材料选自铬、氮化铬、钼、氧化铌、钛、钽、氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、二氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化铝、烷基氧化铝或上述物质的任意组合。

7.根据权利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述相位移层的材料选自MoSi、TaSi₂、TiSi₂、Fe₃O₄、Mo、Nb₂O₅、Ti、Ta、CrN、MoO₂、MoN、Cr₂O₂、TiN、ZrN、TiO₂、TaN、Ta₂O₅、SiO₂、NbN、Si₂N₄、Al₂O₂N、Al₂O₂R或上述物质的任意组合。

8.根据权利要求1所述的相位移掩模版，其特征在于，所述检测图案分布于所述切割滑道内靠近挡光区域的位置。

9.一种根据权利要求1至8中任一项所述的相位移掩模版的雾状缺陷检测方法，其特征在于，包括：

将相位移掩模版上的图案曝在晶圆的光刻胶层上；

对晶圆的光刻胶层进行显影处理，在所述光刻胶层上形成多个器件图案和至少一个检测图案；

对所述晶圆进行缺陷检测扫描，包括：首先扫描晶圆上的检测图案，当所述检测图案上出现雾状致缺陷时，接着扫描晶圆上的器件图案，当所述器件图案上也出现雾状致缺陷时，所述相位移掩模版检测不合格；否则，所述相位移掩模版检测合格。

10.一种相位移掩模版的制造方法，其特征在于，包括：

提供掩模版基板，所述掩模版基板包括：透明基材；位于所述透明基材上的相位移层；位于所述相位移层上的遮蔽层；

在所述掩模版基板上制备至少一个检测图案，所述检测图案用于检测所述相位移掩模版的雾状缺陷；

在除所述检测图案所在区域外的所述掩模版基板上制备多个器件图案，所述器件图案间有间隔，将所述间隔所在区域作为切割滑道，所述检测图案位于所述切割滑道所在区域内；

在所述掩模版基板的边缘制作挡光区域。

11.根据权利要求10所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述检测图案的掩模误差增强因子大于或等于3。

12.根据权利要求10或11所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述检测图案同所述器件图案相同。

13.根据权利要求10或11所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述检测图案包括：所述相位移掩模版的最小设计尺寸图形。

14.根据权利要求10所述的相位移掩模版的制造方法，其特征在于，所述透明基材的材料为二氧化硅或氟化钙。