[发明专利]金属前介质层及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010573303.4 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102487057A 公开(公告)日: 2012-06-06
发明(设计)人: 李敏;徐强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L23/00;H01L21/31;H01L21/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 金属 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种金属前介质层,包括介质层、位于介质层上的保护层,其特征在于,还包括位于介质层和保护层之间的过渡层,所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。

2.如权利要求1所述的金属前介质层,其特征在于,所述介质层为硅磷酸盐玻璃层、所述保护层为二氧化硅层,所述过渡层为无掺杂二氧化硅层。

3.如权利要求2所述的金属前介质层,其特征在于,所述无掺杂二氧化硅层的厚度大于

4.如权利要求2所述的金属前介质层,其特征在于,所述硅磷酸盐玻璃层的厚度在的范围内。

5.如权利要求2所述的金属前介质层,其特征在于,所述二氧化硅层的厚度在的范围内。

6.一种金属前介质层的制造方法,其特征在于,提供衬底;在衬底上形成介质层;在介质层上形成过渡层;在过渡层上形成保护层,所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。

7.如权利要求6所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,所述介质层为硅磷酸盐玻璃层,所述在衬底上形成介质层的步骤包括:向高密度等离子体化学气相沉积设备中通入磷化氢,以形成硅磷酸盐玻璃层。

8.如权利要求7所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,所述硅磷酸盐玻璃层中磷的掺入浓度为3.5%~6%。

9.如权利要求7所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,所述过渡层为无掺杂二氧化硅层,所述在介质层上形成过渡层的步骤包括:在同一反应腔室内,停止向高密度等离子体化学气相沉积设备中通入磷化氢,以形成无掺杂二氧化硅层。

10.如权利要求9所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,形成无掺杂二氧化硅层的步骤包括:向高密度等离子体化学气相沉积设备中通入流量比例大于3∶1的氧气和甲烷。

11.如权利要求6所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,所述保护层为二氧化硅层,在过渡层上形成保护层的步骤包括:通过等离子增强化学气相沉积方法或者次常压化学气相沉积方法形成二氧化硅层。

12.如权利要求6所述的金属前介质层的制造方法,其特征在于,所述保护层为二氧化硅层,在过渡层上形成保护层的步骤包括:通过正硅酸乙酯或者甲烷形成二氧化硅层。

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