[发明专利]液晶显示装置用阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置用阵列基板，包括：

基板，具有显示区和包围该显示区的驱动电路区；

基板上的第一半导体层，位于显示区中，该第一半导体层具有有源区和位于该有源区两侧的源区和漏区；

栅绝缘层，位于第一半导体层上；

栅电极，位于栅绝缘层上，并且对应于有源区，该栅电极比栅绝缘层宽；

层间绝缘层，位于栅电极上，具有多个半导体接触孔，所述多个半导体接触孔暴露源区和漏区，其中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个第一腔部；

源电极和漏电极，位于层间绝缘层上，该源电极和漏电极通过所述多个半导体接触孔接触源区和漏区；

钝化层，位于源电极和漏电极上，具有一漏极接触孔，该漏极接触孔暴露漏电极；以及

像素电极，位于钝化层上，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，栅电极和栅绝缘层具有倒悬形状。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，第一半导体层包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，源区和漏区掺有负型的高浓度杂质(n+)和正型的高浓度杂质(p+)中的一种。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，有源区包括本征硅。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，有源区包括第一有源区、第二有源区以及第三有源区，第一有源区对应于栅绝缘层，第二有源区设置在第一有源区与源区之间，第三有源区设置在第一有源区与漏区之间。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，所述多个第一腔部填充有空气、惰性气体以及真空中的一种。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，还包括：

连接到栅电极的选通线；和

与选通线交叉并连接到源电极的数据线。

9.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板，还包括驱动电路，该驱动电路具有位于驱动电路区中的互补型金属氧化物半导体逆变器，其中，该互补型金属氧化物半导体逆变器包括：

N型薄膜晶体管，包括第二半导体层；和

P型薄膜晶体管，包括第三半导体层，

其中，N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管分别具有多个第二腔部和多个第三腔部。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，第二半导体层和第三半导体层包括多晶硅。

11.根据权利要求9所述的液晶显示装置用阵列基板，其中，第二半导体层包括N有源区、N源区以及N漏区，N源区和N漏区设置在N有源区的两侧，并掺有负型的高浓度杂质(n+)，并且其中，第三半导体层包括P有源区、P源区以及P漏区，P源区和P漏区设置在P有源区的两侧，并掺有正型的高浓度杂质(p+)。

12.一种制造液晶显示装置用阵列基板的方法，包括以下步骤：

在具有显示区和包围该显示区的驱动电路区的基板上形成第一半导体层，该第一半导体层设置在显示区中；

在第一半导体层上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上并且对应于有源区形成栅电极，该栅电极比栅绝缘层宽；

利用栅电极作为掺杂掩模以高浓度杂质来掺杂第一半导体层，以在第一半导体层的中央部限定有源区，并在该有源区的两侧限定源区和漏区；

在栅电极上形成具有多个半导体接触孔的层间绝缘层，所述多个半导体接触孔暴露源区和漏区，其中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个第一腔部；

在层间绝缘层上形成源电极和漏电极，该源电极和漏电极通过所述多个半导体接触孔接触源区和漏区；

在源电极和漏电极上形成具有一漏极接触孔的钝化层，该漏极接触孔暴露漏电极；以及

在钝化层上形成像素电极，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述形成第一半导体层的步骤包括以下步骤：

在基板上形成非晶硅层；

晶化非晶硅层，以形成多晶硅层；以及

对多晶硅层进行构图，以形成第一半导体层。