[发明专利]等离子体织构化反应装置无效
申请号: | 201010573481.7 | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102403215A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 朴根周;金基洪 | 申请(专利权)人: | 森美材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L31/18;C30B33/12;H05H1/10;H05H1/46 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 织构化 反应 装置 | ||
1.一种等离子体织构化反应装置,包括:
腔室,包括介质窗和腔室本体并且容纳待织构化的太阳能电池晶片;
多边形感应线圈,设置在所述介质窗的外侧上部以产生用于产生等离子体的磁场;
高频低功率供应单元,向所述腔室的阴极供应与处理条件相对应的高频功率;以及
高频源功率供应单元,向多边形感应线圈供应高频功率。
2.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,多边形至少是矩形。
3.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,感应线圈包括具有径向结构的感应线圈。
4.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,感应线圈包括具有多组感应线圈平行地彼此相连的结构的感应线圈。
5.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,感应线圈包括具有批次式结构的感应线圈,在所述批次式结构中,多个感应线圈布置成矩阵模式以产生与相应的太阳能电池晶片有关的磁场。
6.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,感应线圈包括具有批次式结构的感应线圈,在所述批次式结构中,在水平方向上布置有多个感应线圈,并且在竖直方向上布置有位于布置在水平方向上的所述多个感应线圈下方或上方的多个感应线圈。
7.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,感应线圈包括具有在单个感应线圈内部顺序地设有具有同一形状或不同形状的至少一个感应线圈的结构的感应线圈。
8.根据权利要求7所述的等离子体织构化反应装置,其中,所述单个感应线圈或设在所述单个感应线圈内部的至少一个感应线圈包括多边形感应线圈或圆筒形感应线圈。
9.根据权利要求7或8所述的等离子体织构化反应装置,其中,所述单个感应线圈或设在所述单个感应线圈内部的至少一个感应线圈在高频功率分配器的控制下独立地调整放射的高频功率,以允许相应区域的离子密度以期望的程度被均匀地调整。
10.根据权利要求1所述的等离子体织构化反应装置,其中,所述高频低功率供应单元包括多个高频功率发生器和多个高频匹配部件,以调整离子能量的强度和密度以及自由基浓度。
11.根据权利要求10所述的等离子体织构化反应装置,其中,所述多个高频功率发生器产生具有同一频率或不同频率的高频功率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造