[发明专利]一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法。

背景技术

半导体集成电路技术(包括各种不同工艺，例如：蚀刻、沉积、注入以及光刻成形等)应用于晶片上以形成已设计好的电路及其间的连接关系。晶片在工艺腔室中施以工艺处理，其时该晶片被固定(Secure)在工艺腔室(ProcessingChamber)中的晶片载物台(Wafer Stage)上，该晶片载物台上具有静电吸盘(Electrostatic Chuck，E-chuck)，晶片被放置在静电吸盘上通过静电将晶片吸附固定于静电吸盘上。为确保晶片能够被平稳吸附于静电吸盘上，必须避免静电吸盘上吸附有污染颗粒物。一旦静电吸盘上吸附有污染颗粒物，则会影响静电吸盘的吸附能力，使晶片不能够平稳的吸附于静电吸盘上，从而导致在晶片上所进行工艺的非均匀性，甚至导致工艺过程因为设备报警而无法正常进行。最严重的情况是工艺腔室需要重新执行工艺维修，以去除静电吸盘上的污染颗粒物，这样将导致很多原料都需要被换掉，每次停机维修都需要很长时间而导致设备利用率严重下降，并且需要花费可能高达每次几千美元的原料成本，并且已执行该工艺的晶片很可能会受到良率的影响。为避免上述情况的发生，现有技术中通常在将需进行工艺处理的晶片送入至工艺腔内之前将静电吸盘擦试一下以去除其上的污染颗粒，但这种方法效果并不是很好，仍然不能百分比避免晶片放置在静电吸盘上时静电吸盘上不存在污染颗粒。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，以解决现有技术中工艺腔内静电吸盘上存在污染颗粒导致晶片不能平稳吸附在静电吸盘上的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法，包括以下步骤：

提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；

将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；

将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。

可选的，所述绝缘介质层所携带的电荷电压大于等于5v。

可选的，所述绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到。

可选的，所述绝缘介质层为氮化硅层。

本发明的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法利用绝缘介质层制备过程中聚集在绝缘介质层上的电荷来吸附工艺腔中静电吸盘上的污染颗粒，相较于现有技术可一次性非常干净的将静电吸盘上的污染颗粒吸附干净，可避免工艺腔在执行工艺过程中因为静电吸盘上存在的污染颗粒而被迫停机维护，有效节约了材料成本和时间成本。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明所述的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。

本发明的去除工艺腔内静电吸盘上污染颗粒的方法包括以下步骤：

首先，提供一污染颗粒吸附晶圆，所述污染颗粒吸附晶圆包括衬底及生长在所述衬底上的绝缘介质层，所述绝缘介质层表面带有电荷；

其次，将所述污染颗粒吸附晶圆放入至工艺腔中的静电吸盘上，所述污染颗粒吸附晶圆的绝缘介质层面向所述静电吸盘；所述绝缘介质层上所带的电荷将静电吸盘上的污染颗粒吸附至所述绝缘介质层上；

最后，将所述污染颗粒吸附晶圆从所述静电吸盘上取下并拿出所述工艺腔。

作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层所携带的电荷电压大于等于5v。

作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层采用等离子体辅助化学气相沉积方法制备得到。

作为优选的实施例，本发明方法中所使用的污染颗粒吸附晶圆上绝缘介质层为氮化硅层。