[发明专利]存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路

权利要求书

1.一种操作相变化存储器结构单元的方法，其特征在于，包括：

通过在该相变化存储器结构单元中的部分相变化存储器结构单元引发一第一电阻态来写入数据，其中该第一电阻态与该相变化存储器结构单元的其它部分相变化存储器结构单元的第二电阻态可区别，且该第一电阻态对应到具有一第一温度固化形态的一结晶相活动区域，该第二电阻态具有比第一电阻态更高的电阻，并具有一最小电阻，并对应到具有一第二形态的一结晶相活动区域；以及

通过感测该第一及该第二电阻态，在相变化存储器结构单元中读取数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该引发第一电阻态的步骤包括施加具有一第一能量含量的一电流脉冲，该方法包括施加具有一第二能量含量的一电流脉冲，来引发该第二电阻态，其中该第一能量含量大于该第二能量含量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该第一形态及该第二形态具有不同的化学计量数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该第一形态及该第二形态在该结构单元的活动区域具有不同的结晶颗粒大小，在该第一形态中的该颗粒大小大于在该第二形态中的该颗粒大小。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该第一形态及该第二形态具有不同的化学计量数，并在该结构单元的活动区域具有不同的结晶颗粒大小，在该第一形态中的该颗粒大小大于在该第二形态中的该颗粒大小。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该相变化存储器包含基本相变化存储器材料，其包括介电质掺杂的Ge_xSb_yTe_z。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该引发第一电阻态的步骤包括施加一电流脉冲，以导致该基本相变化材料的活动区域内的化学计量数改变成具有增加锑浓度的化学计量数组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该第二电阻态的发生，不需要电流脉冲去改变从该相变化材料的一初始形态来的该活动区域。

9.一种在集成电路相变化存储器中读取数据的方法，其特征在于：该集成电路相变化存储器包括单一位结构单元，该方法包括：

通过感测一第一及一第二电阻态，在该单一位结构单元读取数据，该第一电阻态对应具有一第一颗粒大小的一结晶相活动区域，该第二电阻态对应具有一第二颗粒大小的一结晶相活动区域，该第二颗粒大小小于该第一颗粒大小。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：该相变化存储器包含具有一基本化学计量数的一相变化材料，该方法包括施加一电流脉冲，以导致该相变化材料的活动区域的化学计量数改变成具有比在该基本化学计量数的该相变化材料的一结晶相电阻更低的结晶相电阻的化学计量数的组合，来引发该第一电阻态。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：该相变化存储器包含基本相变化存储器材料，其包括介电质掺杂的Ge_xSb_yTe_z。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：引发该第一电阻态包括施加一电流脉冲，以导致该基本相变化材料的活动区域的化学计量数改变成具有增加锑浓度的化学计量数的组合。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：还包括：

通过在选择的结构单元中引发一较低电阻态及一较高电阻态，以在集成电路相变化存储器中编码一数据组；以及

在编码之后，安装该集成电路相变化存储器于一衬底上，其中具有较低电阻态的结构单元采用该第一电阻态，具有较高电阻态的结构单元采用该第二电阻态。

14.一种用来制造一电路的方法，其特征在于：该电路包括一集成电路相变化存储器，该方法包括：

通过在该存储器的部分结构单元中引发一较低电阻态，及在该存储器的其它部分结构单元中引发一较高电阻态，以在该集成电路相变化存储器中编码一数据组；

在该编码之后，在一衬底上安装该集成电路相变化存储器；

在该安装之后，通过感测一第一及一第二电阻态，来读取该数据组，其中该第一及该第二电阻态分别对应该较低电阻态及该较高电阻态；以及

改变在该第一电阻态的结构单元成为一第三电组态，并改变该第二电阻态的结构单元成为一第四电组态。