[发明专利]一种利用等离子体释放费米能级钉扎的方法无效
| 申请号： | 201010574126.1 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102064111A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;杨雯;王鹏飞;张卫;江安全 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 释放 费米 能级 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于具体步骤为：
提供一个半导体衬底；
形成第一层绝缘薄膜；
形成一层牺牲介质层；
光刻形成源、漏图形；
形成第二层绝缘薄膜；
刻蚀所述第二层绝缘薄膜形成边墙；
形成源区与漏区；
形成第三层绝缘薄膜；
刻蚀掉所述的牺牲介质层；
用含氟等离子体对样品进行处理；
退火；
形成电极。
2.根据权利要求1所述的利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜材料为Ta2O5、Pr2O3、TiO2、HfO2、Al2O3、或ZrO2，其厚度范围为3-20纳米。
3.根据权利要求1或2所述的利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于，所述的牺牲介质层为多晶硅。
4.根据权利要求1或2所述的利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于，所述的第二层、第三层绝缘薄膜材料为氧化硅或者为氮化硅。
5.根据权利要求1或2所述的利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于，所述的含氟等离子体为CF4、C2F4或C3F6等离子体。
6.根据权利要求3所述的利用等离子体释放费米能级钉扎的方法，其特征在于，所述的含氟等离子体为CF4、C2F4或C3F6等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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