[发明专利]薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括制备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的流程，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一漏电极和第一源电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二漏电极和第二源电极，其特征在于，同时制备所述第一有源层和第二有源层的流程包括：

形成非晶硅有源层薄膜，并通过构图工艺形成包括第一有源层和第二有源层的图案；

在形成上述图案后涂覆光刻胶，并通过曝光显影工艺在所述第二有源层的部分区域上方形成接触过孔；

在形成上述图案的光刻胶上形成诱导金属薄膜，进行热处理，以使所述第二有源层在所述接触过孔处诱导金属薄膜的诱导下发生横向金属诱导结晶，从非晶硅材质结晶成为低温多晶硅材质；

剥离光刻胶及其上的诱导金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，通过曝光显影工艺在所述第二有源层的部分区域上方形成接触过孔包括：

通过曝光显影工艺在所述第二有源层的源极接触区和漏极接触区上方形成接触过孔。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，制备所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的流程包括：

在衬底基板上形成栅金属薄膜，并通过构图工艺形成包括第一栅电极和第二栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上执行所述同时制备所述第一有源层和第二有源层的流程；

在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺在所述栅绝缘层中形成栅极过孔；

在形成上述图案的衬底基板上形成源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图案，所述第一漏电极通过所述栅极过孔与所述第二栅电极连接。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，制备所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的流程包括：

在衬底基板上执行所述同时制备所述第一有源层和第二有源层的流程；

在形成上述图案的衬底基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅金属薄膜，并通过构图工艺形成包括第一栅电极和第二栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层，并通过构图工艺形成包括源极过孔、漏极过孔和栅极过孔的图案；

在所述钝化层上形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图案，所述第一源电极和第二源电极分别通过源极过孔与所述第一有源层和第二有源层连接，所述第一漏电极和第二漏电极分别通过漏极过孔与所述第一有源层和第二有源层连接，所述第一漏电极通过所述栅极过孔与所述第二栅电极连接。

5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的光刻胶上形成诱导金属薄膜包括：

在形成上述图案的光刻胶上采用射频溅射、蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积、原子层气相沉积或亚原子层气相沉积的方法形成诱导金属薄膜。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述诱导金属薄膜的厚度为1纳米～20纳米。

7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述诱导金属薄膜的材质为钛、银、金、铝、锡、锑、铜、钴、铬、钼、铂或镍。

8.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的光刻胶上形成诱导金属薄膜包括：在形成上述图案的光刻胶上采用亚原子层气相沉积工艺沉积厚度为2纳米的镍金属薄膜作为诱导金属薄膜。

9.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述进行热处理包括：采用退火炉加热到300℃～600℃，持续2小时以进行热处理。

10.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述非晶硅有源层薄膜的厚度在50纳米～500纳米之间。