[发明专利]确定湿法刻蚀工艺窗口的方法有效
申请号: | 201010574471.5 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102487027A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 杨永刚;肖志强;刘轩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 湿法 刻蚀 工艺 窗口 方法 | ||
1.一种确定湿法刻蚀工艺窗口的方法,其特征在于,该方法在同一晶圆上进行,将该晶圆垂直酸槽液面浸入酸槽中的酸液,利用晶圆上不同高度先后浸入酸液中的时间不同,改变所述晶圆上不同高度位置上的刻蚀厚度;根据所述晶圆上不同高度位置上的刻蚀厚度所对应的电性测试结果确定湿法刻蚀工艺窗口。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶圆在浸入酸槽中酸液的过程中每下降或者上升一定高度停顿浸泡预定时间。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,晶圆上不同高度位置上的刻蚀厚度为:
A=a*{(D-y)/v1+INT[(D-y)/h1]*t1+(D-y)/v2+INT[(D-y)/h2]*t2+t},其中,A为晶圆上不同高度位置上的刻蚀厚度,a为刻蚀速率,v1为下降的速率,h1为下降高度,t1为每下降h1高度时的停顿浸泡时间,v2为上升的速率,h2为上升高度,t2为每上升h2高度时的停顿浸泡时间,t为下降完成后浸泡时间,D为晶圆直径,y是以与酸槽液面垂直相交的点为原点,建立坐标轴的Y轴上的任一值,其对应晶圆上的不同位置;*表示乘号,/表示除号,+表示加号,-表示减号,()表示小括号,[]表示中括号,{}表示大括号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造