[发明专利]电压电流转换器

权利要求书

1.一种电压-电流转换器，至少包含：

第一超级源跟随器，其至少包含一电流源、一第三NMOS晶体管以及漏极相接的第一PMOS晶体管与第二NMOS晶体管，该第一PMOS晶体管源极同时连接于该电流源与该第三NMOS晶体管漏极，栅极接至一输入控制电压，该第二NMOS晶体管栅极与一电流镜像电路相连，源极与该第三NMOS晶体管的源极同时接地，该第三NMOS晶体管栅极接至该第一PMOS晶体管漏极；

一电流镜像电路，连接于该第一超级源跟随器与该输入控制电压，用于将该输入控制电压转换为电流，并将该电流反馈至该第一超级源跟随器以稳定该第一超级源跟随器；以及

第二超级源跟随器，用于保持输出电流稳定的同时减小该电压-电流转换器的输出电压，使其接近于该输入控制电压，其至少包含该电流源、一第十NMOS晶体管以及漏极相接的第八PMOS晶体管与第九NMOS晶体管，该第八PMOS晶体管源极同时连接于该电流源与该第十NMOS晶体管漏极，栅极接至该电流镜像电路；该第九MOS晶体管栅极与该第二MOS晶体管栅极相连，源极与该第十MOS晶体管的源极同时接地，该第十MOS晶体管栅极接至第八MOS晶体管漏极。

2.如权利要求1所述的电压-电流转换器，其特征在于：该电流镜像电路包含第四NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第五PMOS晶体管以及第六PMOS晶体管，该第四NMOS晶体管栅极与该第二NMOS晶体管栅极相连，漏极与栅极短接，源极与该第七NMOS晶体管源极同时接地，该第七NMOS晶体管栅极连接至该输入控制电压，漏极连接于该第六PMOS晶体管漏极，该第五PMOS晶体管与该第六PMOS晶体管栅极短接后与该第七NMOS晶体管漏极相连，其源极与该第六PMOS晶体管源极、该第一PMOS晶体管源极以及该第八PMOS晶体管的栅极共同相接。

3.如权利要求2所述的电压-电流转换器，其特征在于：该第一超级源跟随器还包含一米勒电路，该米勒电路包含相互串联的一电容和一电阻，该电容另一端连接至该第一PMOS晶体管源极，该电阻另一端连接至该第一PMOS晶体管漏极。

4.如权利要求2所述的电压-电流转换器，其特征在于：该第二超级源跟随器还包含一米勒电路，该米勒电路包含相互串联的一电容和一电阻，该电容另一端连接至该第八PMOS晶体管源极，该电阻另一端连接至该第八PMOS晶体管漏极。

5.如权利要求3或4所述的电压-电流转换器，其特征在于：该输入控制电压为0.7V-1.2V。