[发明专利]一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法无效
| 申请号： | 201010575341.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102034612A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张跃;秦子;黄运华;廖庆亮;张铮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 al sub zno 纳米 阵列 复合 电极 制备 方法 | ||
1.一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征是具体工艺步骤如下：
a.将等摩尔数的Zn(NO3)2和(CH2)6N4溶解于去离子水中配制成浓度为0.05～0.2M的反应溶液；
b.将镀有ZnO晶种层的导电基底作为生长基底，直接放入上述溶液中，在80～100℃进行反应12～24小时，从而获得ZnO纳米棒阵列电极；
c.用旋转涂覆法将氧化铝溶胶涂覆于ZnO纳米棒阵列电极表面，经过热处理后得到Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极。
2.如权利要求1所述的一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征是生长基底为镀有100～200nm厚的ZnO薄膜的导电玻璃、金属或化合物导电薄膜的导电基底。
3.如权利要求1所述的一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征是步骤(c)所述氧化铝溶胶中铝元素与水的摩尔数比为1∶100～1∶200。
4.如权利要求1所述的一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征是步骤(c)所述旋转涂覆法的旋涂速度设置为低速1000转/分、高速3000转/分；分别在低速档旋转10～15秒，在高速档旋转15～20秒反复涂覆；重复本步涂覆步骤，直到获得所需参数要求的均匀涂层。
5.如权利要求1所述的一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法，其特征是步骤(c)所述涂覆后热处理温度在400～800℃区间，热处理时间为0.5～1小时，并自然冷却至室温。
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